无锡华润上华科技有限公司何乃龙获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利绝缘体上半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130405B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111343330.7，技术领域涉及：H10P90/00；该发明授权绝缘体上半导体结构及其制造方法是由何乃龙;张森;宋华;顾炎设计研发完成，并于2021-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本绝缘体上半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种绝缘体上半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：获取晶圆；所述晶圆包括衬底和衬底上的绝缘层；对所述绝缘层进行图案化处理，形成相互连通并将所述衬底露出的沟槽阵列，所述沟槽阵列将所述绝缘层分割为多个块状结构；在所述衬底和绝缘层上形成外延层，所述外延层覆盖所述衬底和所述半导体层。本发明通过沟槽阵列将绝缘层分割为多个块状结构，可以减小绝缘层对衬底的应力。并且外延层与衬底连接在一起，可以进一步减小晶圆的应力，还可以将衬底电位从晶圆上表面引出。
本发明授权绝缘体上半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘体上半导体结构的制造方法，包括： 获取晶圆；所述晶圆包括衬底、衬底上的绝缘层及绝缘层上的半导体层； 对所述绝缘层和半导体层进行图案化处理，形成相互连通并将所述衬底露出的沟槽阵列，所述沟槽阵列将所述半导体层和绝缘层分割为多个块状结构； 在所述衬底和绝缘层上形成外延层，包括在所述衬底和半导体层上外延形成外延层，所述外延层覆盖所述衬底和所述半导体层，所述外延层将所述衬底和所述半导体层直接连接； 所述绝缘层为埋氧层，所述衬底、半导体层及外延层的材料均包括硅，所述衬底和半导体层均由硅构成，所述绝缘体上半导体结构是绝缘体上硅结构，所述半导体层和外延层是所述埋氧层上的顶硅层。
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