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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130417B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211091855.0，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其制造方法是由刘洋设计研发完成，并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构的制造方法包括：提供包括PMOS区和NMOS区的基底，PMOS区和NMOS区的基底上形成有栅介质层；形成保护层；形成第一功函数层，第一功函数层位于PMOS区的保护层上，第一功函数层内具有第一调节离子；形成第二功函数层，第二功函数层内具有第二调节离子；进行扩散工艺，使第一调节离子扩散至PMOS区的栅介质层内，使第二调节离子扩散至NMOS区的栅介质层内；去除第二功函数层以及第一功函数层，直至露出保护层；形成第一栅极以及第二栅极，第一栅极位于PMOS区上，第二栅极位于NMOS区上。至少可以解决去除PMOS区和NMOS区的功函数层对栅介质层带来的刻蚀损伤的问题。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供包括PMOS区和NMOS区的基底，所述PMOS区和所述NMOS区的所述基底上形成有栅介质层； 形成保护层，所述保护层位于所述栅介质层表面； 形成第一功函数层，所述第一功函数层位于所述PMOS区的所述保护层上，且所述第一功函数层的材料与所述保护层的材料不同，所述第一功函数层内具有第一调节离子； 形成第二功函数层，所述第二功函数层位于所述第一功函数层表面，且还位于所述保护层表面，所述第二功函数层内具有第二调节离子； 进行扩散工艺，使所述第一调节离子扩散至所述PMOS区的所述栅介质层内，使所述第二调节离子扩散至所述NMOS区的所述栅介质层内； 去除所述第二功函数层以及所述第一功函数层，直至露出所述保护层； 形成第一栅极以及第二栅极，所述第一栅极位于所述PMOS区的所述栅介质层上，所述第二栅极位于所述NMOS区的所述栅介质层上。

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