佛山市国星半导体技术有限公司邓梓阳获国家专利权
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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种倒装LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116154076B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310081658.9，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种倒装LED芯片及其制备方法是由邓梓阳;范凯平;唐恝;卢淑欣;何俊聪;姚晓薇;梁院廷设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种倒装LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述钝化层包括第一子钝化层和第二子钝化层，所述金属粘附层包括第一子金属粘附层和第二子金属粘附层；所述第一子金属粘附层设置在所述第一子钝化层上，所述反射层设置在所述第一子金属粘附层上，所述第二子金属粘附层设置在所述反射层上，所述第二子钝化层设置在所述第二子金属粘附层上。本发明通过在钝化层和反射层之间设置金属粘附层，增强钝化层和反射层之间的粘附强度，避免出现间隙，降低倒装LED芯片产品在固晶回流焊过程中的鼓泡率。
本发明授权一种倒装LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括钝化层、反射层和金属粘附层，其中： 所述钝化层包括第一子钝化层和第二子钝化层，所述金属粘附层包括第一子金属粘附层和第二子金属粘附层； 所述第一子金属粘附层设置在所述第一子钝化层上，所述反射层设置在所述第一子金属粘附层上，所述第二子金属粘附层设置在所述反射层上，所述第二子钝化层设置在所述第二子金属粘附层上； 所述反射层由SiO2层、Ti3O5层、Al2O3层、TaO2层或Nb2O5层中的任意两种膜层循环层叠而成； 所述反射层中包括30～50层子反射层，任一所述子反射层的光学厚度为L，λ为倒装LED芯片发光结构发出的光的中心波长的四分之一，所述L与所述λ的关系为：L=2k+1*λ，k∈N； 所述第一子金属粘附层和所述第二子金属粘附层均为Ti金属层、Ni金属层、Cr金属层中的一种或多种。
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