长鑫存储技术有限公司邵光速获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116156874B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211297073.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法、存储器是由邵光速设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器，其中，所述半导体结构包括：多个存储单元、多条字线、多条位线；多个存储单元构成阵列，每一存储单元包括存储结构和位于存储结构上方的晶体管；晶体管包括柱状栅极、介质层及有源层，介质层覆盖柱状栅极的至少部分侧壁及底面，有源层覆盖介质层的侧壁，有源层的底面电连接存储结构；每条位线沿第二方向延伸，电连接同一列的有源层；每条字线沿第一方向延伸，电连接同一行的柱状栅极；第一方向和第二方向相交且均垂直于柱状栅极延伸的方向；有源层底面沿第一方向的尺寸大于有源层顶面沿第一方向的尺寸；和或，有源层底面沿第二方向的尺寸大于有源层顶面沿第二方向的尺寸。
本发明授权半导体结构及其制作方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：多个存储单元、多条字线、多条位线；其中，所述多个存储单元构成具有沿第一方向排布的若干列和沿第二方向排布的若干行的阵列，每一所述存储单元包括存储结构和位于所述存储结构上方的晶体管；所述晶体管包括柱状栅极、介质层及有源层，所述介质层覆盖所述柱状栅极的至少部分侧壁及底面，所述有源层覆盖所述介质层的侧壁，所述有源层的底面电连接所述存储结构； 每条所述位线沿第二方向延伸，且电连接同一列的所述有源层的侧壁； 每条所述字线沿第一方向延伸，且电连接同一行的所述柱状栅极的顶面；所述第一方向和第二方向相交且均垂直于所述柱状栅极延伸的方向；所述有源层底面沿所述第一方向的尺寸大于所述有源层顶面沿所述第一方向的尺寸；和或，所述有源层底面沿所述第二方向的尺寸大于所述有源层顶面沿所述第二方向的尺寸。
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