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龙图腾网获悉江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司申请的专利RC-IGBT功率器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169162B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310340150.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权RC-IGBT功率器件及制备方法是由张广银;朱阳军;邓小社;杨飞;吴凯设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本RC-IGBT功率器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种RC‑IGBT功率器件及制备方法。其包括具有第一导电类型的衬底、制备于所述衬底正面的正面元胞结构以及制备于所述衬底背面的背面结构，还包括用于隔离第二导电类型集电区以及与所述第二导电类型集电区邻近第一导电类型FRD阴极区的背面隔离沟槽，背面隔离沟槽的外侧壁与所隔离的第二导电类型集电区以及第一导电类型FRD阴极区接触，所述背面隔离沟槽的槽底伸入第一导电类型场截止缓冲层内，且所述背面隔离沟槽的槽底由位于第一导电类型场截止缓冲层内的第二导电类型注入区包覆。本发明能降低IGBT与FRD间的相互影响，提高FRD反向恢复的软度，提升器件的整体性能。

本发明授权RC-IGBT功率器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种RC‑IGBT功率器件，包括具有第一导电类型的衬底、制备于所述衬底正面的正面元胞结构以及制备于所述衬底背面的背面结构，所述背面结构包括制备于所述衬底背面的第一导电类型场截止缓冲层、制备于所述第一导电类型场截止缓冲层上的第一导电类型FRD阴极区以及制备于所述第一导电类型场截止缓冲层上的第二导电类型集电区，其中，所述第二导电类型集电区与正面元胞结构内相应的IGBT正面元胞单元正对应，第一导电类型FRD阴极区与正面元胞结构内相应的FRD正面元胞单元正对应，第二导电类型集电区与第一导电类型FRD阴极区邻近；其特征是： 还包括用于隔离第二导电类型集电区以及与所述第二导电类型集电区邻近第一导电类型FRD阴极区的背面隔离沟槽，背面隔离沟槽的外侧壁与所隔离的第二导电类型集电区以及第一导电类型FRD阴极区接触，所述背面隔离沟槽的槽底伸入第一导电类型场截止缓冲层内，且所述背面隔离沟槽的槽底由位于第一导电类型场截止缓冲层内的第二导电类型注入区包覆； 第二导电类型注入区与所述背面隔离沟槽两侧的第二导电类型集电区以及第一导电类型FRD阴极区接触，第二导电类型集电区、第一导电类型FRD阴极区以及第二导电类型注入区均与背面金属电极欧姆接触。

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