长鑫存储技术有限公司张众获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116171041B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310246087.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制造方法是由张众设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法，半导体结构的制造方法包括：提供基底，基底包括沿第一方向交替间隔设置的第一区域和第二区域；在基底上方形成介质层以及第一掩膜层；提供具有预设图案的预设光罩；利用预设光罩进行第一次图形转移，将预设图案转移至第一区域的第一掩膜层内，其中，第一次图形转移步骤中，预设光罩具有第一位置；利用同一预设光罩进行第二次图形转移，将预设图案转移至第二区域的第一掩膜层内，其中，第二次图形转移步骤中，预设光罩具有第二位置，第二位置与第一位置不同；以第一掩膜层为掩膜，刻蚀介质层，以形成接触孔；形成填充满接触孔的位线接触窗。至少可以提高位线接触窗尺寸的准确度。
本发明授权半导体结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括多个相互分立的有源区和将相邻所述有源区间隔开的隔离区，所述基底还包括沿第一方向交替间隔设置的第一区域和第二区域，且所述第一区域和所述第二区域均沿第二方向延伸； 在所述基底上方形成依次堆叠的介质层以及第一掩膜层； 提供预设光罩，所述预设光罩具有预设图案； 利用所述预设光罩进行第一次图形转移，将所述预设图案转移至所述第一区域的所述第一掩膜层内，其中，所述第一次图形转移步骤中，所述预设光罩相较于所述基底具有第一位置； 利用同一所述预设光罩进行第二次图形转移，将所述预设图案转移至所述第二区域的所述第一掩膜层内，其中，所述第二次图形转移步骤中，所述预设光罩相较于所述基底具有第二位置，所述第二位置与所述第一位置不同； 以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述介质层，以形成露出所述基底部分表面的接触孔； 形成填充满所述接触孔的位线接触窗。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励