长鑫存储技术有限公司薛兴坤获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207160B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310437691.0，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体结构及其制备方法是由薛兴坤;李泽伦;谈亚丽;徐汉东;顾婷婷;脱穷设计研发完成，并于2023-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，其旨在解决当前IGZO薄膜晶体管的沟道迁移率低，影响其导通能力的技术问题。本申请提供的半导体结构，其通过将沟道叠层结构设置成包括层叠设置的第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层，以及将栅极结构嵌设在第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层之间。如此可增大富含氧空位的界面面积，从而提高沟道区氧空位浓度，进而提升沟道区载流子迁移率。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括衬底、沟道叠层结构、源极、漏极及栅极结构； 所述衬底的有源区设置有绝缘层，所述栅极结构、所述源极及所述漏极分别嵌设在所述绝缘层内，且所述源极和所述漏极位于所述栅极结构的两侧；所述沟道叠层结构与所述绝缘层之间设置有阻隔层； 所述沟道叠层结构包括层叠设置的第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层包围所述栅极结构，所述栅极结构的两侧与所述沟道叠层结构之间设置有隔离结构； 部分所述沟道叠层结构分别与所述源极、所述漏极电连接，部分所述沟道叠层结构配置为形成所述半导体结构的沟道区，且所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层内聚集空位缺陷，部分位于所述沟道区的所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层围成腔体，所述栅极结构位于所述腔体内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励