长鑫存储技术有限公司刘旭升获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储器电路及半导体布局结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230036B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310275579.1，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权存储器电路及半导体布局结构是由刘旭升设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器电路及半导体布局结构在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及一种存储器电路及半导体布局结构，存储器电路包括：多个感测放大模块，每一感测放大模块用于对一存储单元所输出的数据进行感测放大；多个电源门控模块，一电源门控模块与一感测放大模块对应连接，电源门控模块被配置为：在感测放大模块工作期间，响应于门控信号为对应的感测放大模块提供电源信号。本公开实施例提供的存储器电路至少有利于增强对感测放大模块的驱动能力。
本发明授权存储器电路及半导体布局结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体布局结构，应用于半导体存储器，所述半导体存储器包括存储单元，其特征在于，包括： 多个沿第一方向间隔排布的感测放大模块版图，每一所述感测放大模块版图用于形成感测放大模块，对所述存储单元所输出的数据进行感测放大； 多个沿所述第一方向间隔排布的电源门控模块版图，一行所述电源门控模块版图与一行所述感测放大模块版图在第二方向上间隔排布，所述第一方向与所述第二方向不同，一所述电源门控模块版图与一所述感测放大模块版图对应连接，所述电源门控模块用于形成电源门控模块，被配置为：在所述感测放大模块工作期间，响应于门控信号为对应的所述感测放大模块提供电源信号； 一行所述感测放大模块版图与一行所述电源门控模块版图在沿所述第二方向上正对排布或者错位排布。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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