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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利共源共栅结构的多层氮化镓开关器件及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230712B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211659393.8，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权共源共栅结构的多层氮化镓开关器件及芯片是由吴龙江设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本共源共栅结构的多层氮化镓开关器件及芯片在说明书摘要公布了：本申请涉及一种共源共栅结构的多层氮化镓开关器件及芯片。共源共栅结构的多层氮化镓开关器件包括第一N型漂移层、第一缓冲层、第一氮化镓通道层、多层第二氮化镓通道层、开关漏极、连接金属层、HEMT栅极、P型漂移层、第二N型漂移层、开关栅极和开关源极，从而构造出一个常开型高电子迁移率晶体管和一个常闭型金属‑氧化物半导体场效应晶体管并组成共源共栅结构，具有多层氮化镓通道层的D‑HEMT可以承受高电压并具有较高的电流密度，而MOSFET则承担了开关功能，使得开关漏极和开关源极之间可以彻底关断，实现具有多层氮化镓通道层的D‑HEMT和MOSFET的互补。

本发明授权共源共栅结构的多层氮化镓开关器件及芯片在权利要求书中公布了：1.一种共源共栅结构的多层氮化镓开关器件，其特征在于，包括： 第一N型漂移层和设于所述第一N型漂移层正面的第一缓冲层； 第一氮化镓通道层，设于所述第一缓冲层的正面； 多个第二氮化镓通道层，依次层叠设于所述第一氮化镓通道层的正面； 开关漏极，设于所述第一氮化镓通道层和所述第二氮化镓通道层的第一侧，并与所述第一氮化镓通道层、所述第二氮化镓通道层接触； 连接金属层，设于所述第一N型漂移层的正面，并与所述第一缓冲层、所述第一氮化镓通道层、所述第二氮化镓通道层的第二侧接触； HEMT栅极，设于所述开关漏极和所述连接金属层之间； 势垒层，设于所述HEMT栅极与所述第二氮化镓通道层之间； P型漂移层，设于所述第一N型漂移层的背面； 第二N型漂移层，设于所述P型漂移层的背面； 开关栅极； 钝化层，设于所述开关栅极与所述第一N型漂移层之间，设于所述开关栅极与所述P型漂移层之间，以及设于所述开关栅极与所述第二N型漂移层之间； 开关源极，设于所述第二N型漂移层的背面并与所述HEMT栅极连接； 所述第一N型漂移层、所述P型漂移层和所述第二N型漂移层内设有开口向下的栅极凹槽，所述栅极凹槽深入至所述第一N型漂移层内，且所述钝化层设于所述栅极凹槽内壁。

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