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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116249437B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211737930.6，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种忆阻器及其制备方法是由许凯;胡加杨;张亦舒;俞滨设计研发完成，并于2022-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件领域，特别是涉及一种忆阻器及其制备方法。本发明提供的忆阻器采用上层一维纳米阵列、忆阻器介质层、下层一维纳米阵列的结构，将忆阻器的有效工作区域被限定在上层一维纳米阵列和下层一维纳米阵列之间的交叉区域，实现具有固定数量、位置均匀分布的导电细丝的忆阻器；交叉区域形成的单个忆阻器的工作区域定义至纳米量级，使得单个忆阻器工作时形成的导电细丝实现单根且同根的生长和断裂，降低了导电细丝生长引入的随机性，从而限制导电细丝生长的位置、数量和直径，进而得到均匀分布、工作稳定的导电细丝，提升忆阻器的均一性和稳定性，便于未来在大规模存储阵列或者神经形态计算中的制备和应用。

本发明授权一种忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种忆阻器，其特征在于，包括： 衬底； 位于衬底表面的下层一维纳米阵列，所述下层一维纳米阵列为多根惰性纳米线，或者所述下层一维纳米阵列为多根活性金属纳米线； 位于下层一维纳米阵列的两端且位于衬底表面的下层金属电极； 位于下层一维纳米阵列表面的忆阻器介质层； 位于所述忆阻器介质层表面的上层一维纳米阵列，所述上层一维纳米阵列为多根活性金属纳米线，或者所述上层一维纳米阵列为多根惰性纳米线； 所述上层一维纳米阵列和下层一维纳米阵列交叉设置，使得所述上层一维纳米阵列和下层一维纳米阵列的每一个交汇点在忆阻器介质层内最多形成一条导电细丝，所述导电细丝的直径小于20纳米； 位于上层一维纳米阵列的两端的上层金属电极； 其中，当所述下层一维纳米阵列为多根惰性纳米线时，所述上层一维纳米阵列为多根活性金属纳米线；当所述下层一维纳米阵列为多根活性金属纳米线时，所述上层一维纳米阵列为多根惰性纳米线，所述惰性纳米线为碳纳米管、金纳米线或者铂纳米线中的一种。

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