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龙图腾网获悉西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种可重构铁电单晶体管存内布尔逻辑门及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116312680B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310310895.8，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权一种可重构铁电单晶体管存内布尔逻辑门及其制备方法是由刘艳;周久人;郑思颖;韩根全;郝跃设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可重构铁电单晶体管存内布尔逻辑门及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种可重构铁电单晶体管存内布尔逻辑门，包括脉冲输入端电极、铁电介质层、直流输入端电极、介质层、源端电极、漏端电极、超薄沟道层、二氧化硅层和硅衬底；超薄沟道层的高低阻态代表了单晶体管的布尔逻辑输出；脉冲输入端电极和直流输入端电极分别调控沟道中的串联电阻；铁电介质层的极化状态存储了脉冲输入端的信息，从而在脉冲结束后持续调控串联电阻阻态。本发明利用铁电介质层非易失存储特性，以脉冲信号和直流信号分别调控超薄沟道层中的串联电阻，通过沟道层的高低阻态表征单晶体管的布尔逻辑输出，从而使单个晶体管具有逻辑计算功能和信息存储功能，且该存内布尔逻辑门能够在“或非”和“与”中切换，具有可重构的多功能优势。

本发明授权一种可重构铁电单晶体管存内布尔逻辑门及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可重构铁电单晶体管存内布尔逻辑门，其特征在于，包括硅衬底9，所述硅衬底9上设置二氧化硅层8，所述二氧化硅层8上设置超薄沟道层7，所述超薄沟道层7选用本征半导体或轻掺杂半导体，厚度小于200 nm； 所述超薄沟道层7上设置铁电介质层2、介质层4、源端电极5和漏端电极6，所述铁电介质层2的一部分的下方与介质层4的上方之间设置有直流输入端电极3，所述铁电介质层2的上方设置脉冲输入端电极1；其中，所述铁电介质层2的两边部分下表面与超薄沟道层7直接接触，中间部分向上凸起，介质层4设置在凸起部分的下方，并与超薄沟道层7直接接触，直流输入端电极3设置在介质层4的上方，并与介质层4直接接触；源端电极5和漏端电极6分别设置在铁电介质层2的两边部分的外侧，并与超薄沟道层7直接接触； 所述超薄沟道层7的高低阻态代表了单晶体管的布尔逻辑输出；所述脉冲输入端电极1和直流输入端电极3分别调控超薄沟道层7中的串联电阻；所述铁电介质层2的极化状态存储了脉冲输入端电极1的信息，从而在脉冲结束后持续调控串联电阻阻态。

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