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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利可调沟道宽度的金刚石可变阈值场效应晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314280B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310072475.0，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权可调沟道宽度的金刚石可变阈值场效应晶体管及制备方法是由任泽阳;马源辰;张金风;苏凯;祝子辉;杨智清;张进成;郝跃设计研发完成，并于2023-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本可调沟道宽度的金刚石可变阈值场效应晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可调沟道宽度的金刚石可变阈值场效应晶体管，包括N型金刚石衬底、P‑型金刚石外延层、P+型金刚石外延层、源电极、漏电极、栅介质层、栅电极以及背电极，其中，P‑型金刚石外延层设置在N型金刚石衬底上表面；在P‑型金刚石外延层上表面左右两侧分别设置P+型金刚石外延层，源电极和漏电极分别设置在左右两侧的P+型金刚石外延层上，P+型金刚石外延层分别与其上方的源电极和漏电极形成欧姆接触；栅介质层设置在P‑型金刚石外延层未被P+型金刚石外延层覆盖的上表面，栅电极设置在栅介质层的上表面；背电极设置在N型金刚石衬底下表面。本发明的金刚石场效应管具有高热导率、高抗辐照性、耗尽型与增强型灵活的可选择性等优势。

本发明授权可调沟道宽度的金刚石可变阈值场效应晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可调沟道宽度的金刚石可变阈值场效应晶体管，其特征在于，包括N型金刚石衬底1、P‑型金刚石外延层2、P+型金刚石外延层3、源电极4、漏电极5、栅介质层6、栅电极7以及背电极8，其中，所述P‑型金刚石外延层2设置在所述N型金刚石衬底1上表面；在所述P‑型金刚石外延层2上表面左右两侧分别设置所述P+型金刚石外延层3，所述源电极4和所述漏电极5分别设置在左右两侧的所述P+型金刚石外延层3上，所述P+型金刚石外延层3分别与其上方的所述源电极4和所述漏电极5形成欧姆接触； 所述栅介质层6设置在所述P‑型金刚石外延层2未被所述P+型金刚石外延层3覆盖的上表面，所述栅电极7设置在所述栅介质层6的上表面且位于所述源电极4与所述漏电极5之间； 所述背电极8设置在所述N型金刚石衬底1下表面； 所述栅电极7采用Al\Au叠层金属，其中，Al金属层位于Au金属层下方，Al金属层的厚度为10~20nm，Au金属层的厚度为40~100nm； 所述背电极8采用Au\Ti叠层金属，其中，Au金属层位于Ti金属层下方，Au金属层的厚度为40~100nm，Ti金属层的厚度为10~20nm； 通过调控n‑p‑肖特基势垒高度调控沟道宽度实现阈值电压可调的金刚石场效应晶体管，实现耗尽型到增强型器件的转变；同时，使用P+型金刚石外延层制备欧姆接触以降低器件的欧姆接触电阻，减少耗能，优化相关联的RC时间常数。

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