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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322037B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310251244.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由郭帅设计研发完成，并于2023-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底；位于基底的部分表面上的导电接触层，包括多个第一导电接触层以及多个第二导电接触层，第一导电接触层在基底表面的正投影环绕第二导电接触层；多个下电极层，多个下电极层位于多个第二导电接触层的顶面上；覆盖下电极层顶面以及部分侧面的介电层，位于下电极层外围的介电层靠近基底的区域沿平行于基底表面的方向朝向基底外侧凸出；覆盖介电层顶面以及侧面的上电极层；第一绝缘层，第一绝缘层位于多个第一导电接触层远离基底的表面上，且部分介电层位于第一绝缘层远离基底的部分表面上，第一绝缘层位于多个第一导电接触层与介电层之间。至少可以减少漏电。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 导电接触层，所述导电接触层位于所述基底的部分表面上，且多个所述导电接触层在所述基底表面相互分立，所述导电接触层包括多个第一导电接触层以及多个第二导电接触层，所述多个第一导电接触层在所述基底表面的正投影环绕所述多个第二导电接触层；多个下电极层，所述多个下电极层位于所述基底的部分区域上，且所述多个下电极层在所述基底表面阵列排布，所述多个下电极层位于所述多个第二导电接触层远离所述基底的顶面上； 介电层，所述介电层覆盖所述多个下电极层远离所述基底的顶面以及所述多个下电极层的部分侧面，且位于所述多个下电极层外围的所述介电层靠近所述基底的区域沿平行于所述基底表面的方向朝向远离所述多个下电极层的方向凸出； 上电极层，所述上电极层覆盖所述介电层远离所述基底的顶面，且所述上电极层覆盖所述介电层的侧面； 第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述多个第一导电接触层远离所述基底的表面上，且部分所述介电层位于所述第一绝缘层远离所述基底的部分表面上，所述第一绝缘层位于所述多个第一导电接触层与所述介电层之间。

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