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浜松光子学株式会社间瀬光人获国家专利权

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龙图腾网获悉浜松光子学株式会社申请的专利光传感器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116325168B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180070159.9,技术领域涉及:H10F30/225;该发明授权光传感器是由间瀬光人;泷口亮;石井博明;中野优;高木慎一郎设计研发完成,并于2021-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

光传感器在说明书摘要公布了:本发明的光传感器1具备:电荷产生区域29,其根据入射光产生电荷;电荷收集区域33,其传输在电荷产生区域29产生的电荷;和至少1个传输栅电极41,其配置在电荷产生区域29与电荷收集区域33之间的传输区域35上。电荷产生区域29包含:雪崩倍增区域23,其产生雪崩倍增;和倾斜电势形成区域59,其将以随着靠近传输区域35而电势变低的方式倾斜的倾斜电势形成于电荷产生区域29。

本发明授权光传感器在权利要求书中公布了:1.一种光传感器,其中,具备: 电荷产生区域,其根据入射光产生电荷; 电荷收集区域,其传输在所述电荷产生区域产生的电荷;和至少1个传输栅电极,其配置在所述电荷产生区域与所述电荷收集区域之间的传输区域上,所述电荷产生区域包含: 雪崩倍增区域,其产生雪崩倍增;和倾斜电势形成区域,其将以随着靠近所述传输区域而电势变低的方式倾斜的倾斜电势形成于所述电荷产生区域,所述至少1个传输栅电极包含:第1传输栅电极、和相对于所述第1传输栅电极配置在所述电荷产生区域侧的第2传输栅电极,在将在所述电荷产生区域产生的电荷向所述电荷收集区域传输的电荷传输处理中,以作为所述第1传输栅电极的正下方的区域的电势的第1电势、以及作为所述第2传输栅电极的正下方的区域的电势的第2电势,在成为所述电荷产生区域的与所述传输区域的边界部的电势以下之后,变得高于所述边界部的电势的方式,对所述第1传输栅电极和所述第2传输栅电极赋予电位,在所述电荷传输处理中,从所述第1电势和所述第2电势为所述边界部的电势以下的状态,执行不改变所述第1电势而使所述第2电势高于所述边界部的电势的处理,在该处理结束后,执行使所述第1电势高于所述边界部的电势的处理。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浜松光子学株式会社,其通讯地址为:日本静冈县;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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