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龙图腾网获悉日本碍子株式会社申请的专利半导体制造装置用部件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344428B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211023886.2，技术领域涉及：H10P72/72；该发明授权半导体制造装置用部件是由井上靖也;久野达也;宫本宽大设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体制造装置用部件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体制造装置用部件，能够抑制在晶片与导电性基材之间发生放电。半导体制造装置用部件10具备：陶瓷板20；金属接合层40及冷却板30导电性基材，它们设置于陶瓷板20的下表面；第一孔24，其沿着上下方向贯穿陶瓷板20；以及贯通孔42及气体孔34第二孔，它们沿着上下方向贯穿导电性部件，且与第一孔24连通。多孔质插塞50的上表面在第一孔24的上部开口露出，下表面位于导电性基材的上表面以下。绝缘管60的上表面位于比晶片载放面21更靠下方的位置，下表面位于比多孔质插塞50的下表面更靠下方的位置。一体化部件As是通过多孔质插塞50和绝缘管60被一体化而得到的，其外周面通过从第一孔24的上表面至第二孔的内部的粘接层70而被固定于第一孔24及第二孔。

本发明授权半导体制造装置用部件在权利要求书中公布了：1.一种半导体制造装置用部件，其中，该半导体制造装置用部件具备： 陶瓷板，该陶瓷板在上表面具有晶片载放面； 导电性基材，该导电性基材设置于所述陶瓷板的下表面； 第一孔，该第一孔沿着上下方向贯穿所述陶瓷板； 第二孔，该第二孔沿着上下方向贯穿所述导电性基材，且与所述第一孔连通； 多孔质插塞，该多孔质插塞的上表面在所述第一孔的上部开口露出，下表面位于所述导电性基材的上表面以下； 绝缘管，该绝缘管的上表面位于比所述晶片载放面更靠下方的位置，下表面位于比所述多孔质插塞的下表面更靠下方的位置；以及一体化部件，该一体化部件是通过所述多孔质插塞和所述绝缘管被一体化而得到的，外周面通过从所述第一孔的上表面至所述第二孔的内部的粘接层而被固定于所述第一孔及所述第二孔，所述绝缘管在管上部具备有底孔，所述多孔质插塞在被插入于所述有底孔的状态下被保持，在所述有底孔的底面与所述多孔质插塞的下表面之间存在空隙。

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