三星电子株式会社;INTOPS株式会社郑忠孝获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社;INTOPS株式会社申请的专利包括镀覆有导电构件的外壳体的电子装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116368262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180071667.9，技术领域涉及：C23C18/20；该发明授权包括镀覆有导电构件的外壳体的电子装置及其制造方法是由郑忠孝;高源晙;朴惠仁;李龙摄;林宰德;赵范袗;尹治泳;金槿河;具坰河;文洪基设计研发完成，并于2021-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括镀覆有导电构件的外壳体的电子装置及其制造方法在说明书摘要公布了：一种用于制造根据本文件中公开的各种实施例的电子装置的方法可以包括：在电镀区域中形成沟槽的沟槽步骤，其中，所述电镀区域是外壳体的暴露于外部的第一表面的至少一部分，所述外壳体形成所述电子装置的外观的至少一部分；在电镀区域中形成包括第一金属材料的第一镀层的第一电镀步骤；对电镀区域进行抛光的抛光步骤；以及在外壳体的第一表面上形成涂布层的涂布步骤。各种其他实施例是可能的。
本发明授权包括镀覆有导电构件的外壳体的电子装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电子装置，所述电子装置包括： 壳体，所述壳体具有形成在所述壳体的表面上的沟槽，所述沟槽包括谷和峰，所述谷相对于所述壳体的所述表面凹入，所述峰相对于所述壳体的所述表面凸出； 第一导电构件，所述第一导电构件镀覆在所述沟槽中；以及涂布层，所述涂布层层压在所述壳体上以覆盖所述第一导电构件，其中，所述沟槽的所述峰包括通过去除所述峰的一部分而形成的第一截断部，其中，所述第一导电构件包括第二截断部，所述第二截断部是通过去除与所述沟槽的所述第一截断部相对应的被电镀部分而形成的，其中，所述第一截断部和所述第二截断部被形成为减小所述第一导电构件与所述壳体的基准表面之间的台阶，所述基准表面是所述壳体的未形成有所述沟槽的表面，并且其中，所述电子装置通过所述第一导电构件发送或接收无线信号。
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