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龙图腾网获悉厦门大学;厦门大学深圳研究院申请的专利辐伏-锂电一体化电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116435628B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310477491.8，技术领域涉及：H01M10/46；该发明授权辐伏-锂电一体化电池是由伞海生;丁錾;刘尚宇设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本辐伏-锂电一体化电池在说明书摘要公布了：辐伏‑锂电一体化电池，包括从上到下依次设置的集流体、负极和隔膜以及填充于电池内的锂电电解液；还包括导电材料、半导体纳米棒阵列薄膜、活性材料层、同位素辐射源以及底部电极；所述半导体纳米棒阵列薄膜垂直设于底部电极上；所述活性材料层附着在半导体纳米棒阵列薄膜的表面或者填充在半导体纳米棒阵列薄膜的间隙或者上方、或者与导电材料混合后填充于半导体纳米棒阵列薄膜的间隙或者上方；所述同位素辐射源设于半导体纳米棒阵列薄膜的间隙中。本发明集辐伏发电和锂电池储能结构一体化，具有将同位素的辐射能转换为电能并利用锂电结构储能的功能，该电池提高了同位素电池的能量利用效率和输出功率。

本发明授权辐伏-锂电一体化电池在权利要求书中公布了：1.辐伏‑锂电一体化电池，包括从上到下依次设置的集流体、负极和隔膜以及填充于电池内的锂电电解液；其特征在于：还包括导电材料、半导体纳米棒阵列薄膜、活性材料层、同位素辐射源以及底部电极；所述半导体纳米棒阵列薄膜垂直设于底部电极上；所述活性材料层附着在半导体纳米棒阵列薄膜的表面或者填充在半导体纳米棒阵列薄膜的间隙或者上方、或者与导电材料混合后填充于半导体纳米棒阵列薄膜的间隙或者上方；所述同位素辐射源设于半导体纳米棒阵列薄膜的间隙中； 所述负极为锂箔或者锂合金箔；所述锂电电解液为LiClO4、LiPF6、LiBF6或LiAsF6的导电盐溶解在有机物中形成的电解液；所述半导体纳米棒阵列薄膜的半导体材料包含二氧化钛、氧化锌、二氧化锆、 氧化镉、五氧化二铌、氧化铈、三氧化二镓、二氧化锡、三氧化钨、碳化硅、氮化镓、铟镓氮、磷化镓、氮化铟、氮化铝、磷化铝、砷化铝等、二硫化钼、硫化镉、硫化锌、硫化镁、硒化锌、硒化镁、金刚石中的至少一种；所述活性材料层选自五氧化二钒、二硫化钼、氧化钼、硫化镉中的至少一种；所述底部电极采用具有导电性能的放射性同位素材料制备，包括镍‑63、钷‑147、碳‑14中的至少一种。

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