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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利片上起偏铌酸锂光波导电场传感器及其测量系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116482803B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310352935.5，技术领域涉及：G02B6/124；该发明授权片上起偏铌酸锂光波导电场传感器及其测量系统是由谢树果;杨燕;田雨墨;郭子贤;张申达设计研发完成，并于2023-04-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本片上起偏铌酸锂光波导电场传感器及其测量系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种片上起偏铌酸锂光波导电场传感器及其测量系统，采用铌酸锂薄膜材料作为传感器基体，并在所述铌酸锂薄膜材料上沿光路传播方向依次刻蚀形成渐变耦合结构、偏振选择结构、MZ电光调制器和宽带高增益电极、天线结构；通过对传感器输入激光信号，可以将电场信号调制在激光上，并利用长光纤对调制后的激光进行传输；后端再通过光电探测器进行解调并送入接收机中进行测量，可以得到待测电场信息。该传感器结构简单，尺寸小，灵敏度高，干扰小，电场测量结果准确，测量可重复性高。

本发明授权片上起偏铌酸锂光波导电场传感器及其测量系统在权利要求书中公布了：1.一种片上起偏铌酸锂光波导电场传感器，其特征在于，采用铌酸锂薄膜材料作为传感器基体，并在所述铌酸锂薄膜材料上沿光路传播方向依次刻蚀形成渐变耦合结构、偏振选择结构、MZ电光调制器和宽带高增益电极、天线结构；其中，所述渐变耦合结构设置在传感器的激光输入端口处，将输入激光中光斑较大的激光耦合到光斑较小的单模光波导中，以实现激光的单模传输；所述偏振选择结构将所述单模光波导中的TM模消除，以实现激光的单偏振传输；所述MZ电光调制器衔接在所述单模光波导之后，并将空间中的待测电场调制到输入的激光上；所述高增益电极将所述MZ电光调制器的波导臂上作用的待测电场的强度增高； 所述渐变耦合结构为在传感器端口设置的锥形渐变传输通道，所述锥型渐变传输通道朝向所述端口的一端较宽，用于跟输入光纤连接，另一端较窄，与所述传感器内部单模光波导衔接，将输入光纤的激光逐渐耦合到到1μm宽度的单模光波导中； 所述偏振选择结构通过在所述单模光波导上设置金属覆层，通过激发高损耗的等离子体表面模，使得TE模导波低损耗通过的同时，TM模导波高损耗衰减，实现所述传感器单偏振工作状态。

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