意法半导体有限公司栾竟恩获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体有限公司申请的专利不利用引线框架的集成电路芯片封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116525585B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310055889.2，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权不利用引线框架的集成电路芯片封装是由栾竟恩设计研发完成，并于2023-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本不利用引线框架的集成电路芯片封装在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及一种不利用引线框架的集成电路芯片封装。一种集成电路裸片包括半导体衬底、包括接合焊盘的互连层、以及覆盖互连层并且包括接合焊盘处的开口的钝化层。钝化层支撑包括导线和导电通孔的导电再分布层。绝缘层覆盖导电再分布层和钝化层。在绝缘层的上表面中形成的沟道界定了绝缘层中的基座区域。通孔从每个基座区域的上表面延伸穿过基座区域和绝缘层以到达并且接触导电再分布层的一部分。金属焊盘被形成在每个基座区域的上表面处，与其相关联的通孔接触。金属焊盘用于四方扁平无引线QFN型封装的引线。
本发明授权不利用引线框架的集成电路芯片封装在权利要求书中公布了：1.一种无引线框架的集成电路封装，包括： 集成电路裸片，所述集成电路裸片包括：具有正面的半导体衬底；在所述半导体衬底的所述正面之上延伸的互连层，其中所述互连层包括多个接合焊盘；以及钝化层，所述钝化层覆盖所述互连层的上表面并且包括在所述多个接合焊盘处的开口； 导电再分布层，所述导电再分布层由所述钝化层的上表面支撑，所述导电再分布层包括在所述钝化层上延伸的导线和延伸穿过所述钝化层中的所述开口以接触所述多个接合焊盘的导电通孔； 绝缘层，所述绝缘层覆盖所述导电再分布层和所述钝化层，其中所述绝缘层包括形成在其上表面中的多个沟道，以在所述绝缘层中界定多个基座区域； 通孔，所述通孔从所述基座区域的上表面延伸穿过所述基座区域和所述绝缘层，以到达并且接触所述导电再分布层的一部分；以及金属焊盘，所述金属焊盘形成在所述基座区域的所述上表面处并且与所述通孔接触。
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