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龙图腾网获悉武汉普赛斯电子股份有限公司申请的专利一种激光器芯片老化测试装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116540071B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310471380.6，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种激光器芯片老化测试装置是由马超;唐朋;黄秋元;周鹏设计研发完成，并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种激光器芯片老化测试装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种激光器芯片老化测试装置，涉及芯片可靠性测试技术领域，其包括测试本体、温控热沉板、测试夹具、电加热片、风冷组件及散热组件。本发明通过设置上述结构，能够调节散热效率，对于不同种类的芯片，能够辅助加热或散热，能够适应不同功率芯片的老化，且适应性较强。

本发明授权一种激光器芯片老化测试装置在权利要求书中公布了：1.一种激光器芯片老化测试装置，其特征在于，包括： 测试本体，所述测试本体的顶部开口且内部形成有容纳腔； 温控热沉板，所述温控热沉板设于所述开口处，且与所述容纳腔的底面之间形成散热空间； 测试夹具，所述测试夹具设于所述温控热沉板以用于将芯片夹持于所述温控热沉板的顶部； 电加热片，所述电加热片设于所述温控热沉板以用于给所述温控热沉板加热； 风冷组件，所述风冷组件设于所述散热空间以用于给所述散热空间提供冷气流； 散热组件，所述散热组件包括膨胀单元及散热片，所述膨胀单元连接所述温控热沉板和所述散热片，当所述散热空间内的温度低于设定值时，所述膨胀单元用于驱动所述散热片靠近所述温控热沉板，当所述散热空间内的温度高于设定值时，所述膨胀单元用于驱动所述散热片远离所述温控热沉板，所述散热片具有与所述温控热沉板的底部贴合的第一位置及与所述温控热沉板的底部间隔分布的第二位置； 所述膨胀单元包括焊接头、气囊、隔膜及螺母，所述焊接头设于所述温控热沉板且其底部开口且内部形成有膨胀空间，所述气囊设于所述膨胀空间，所述隔膜位于所述焊接头的开口处且与所述气囊连接，所述螺母与所述隔膜连接且其至少部分伸出所述焊接头的开口，所述散热片设于螺母的底端，当所述散热空间内的温度低于设定值时，所述气囊收缩并将所述散热片驱动至所述第一位置，当所述散热空间内的温度高于设定值时，所述气囊膨胀并将所述散热片驱动至所述第二位置。

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