西安交通大学郭少强获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种在氧控铅铋腐蚀环境中原位XRD表征的装置及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116559211B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310559530.9,技术领域涉及:G01N23/207;该发明授权一种在氧控铅铋腐蚀环境中原位XRD表征的装置及方法是由郭少强;张文昊;陈建烨;杜乾设计研发完成,并于2023-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在氧控铅铋腐蚀环境中原位XRD表征的装置及方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种在氧控铅铋腐蚀环境中原位XRD表征的装置及方法,包括样品舱、氧浓度控制系统、低温水浴装置和氧浓度检测系统;流量控制系统包括Ar气瓶和Ar5%H22混合气瓶,两者输出端分别连接有第一质量流量控制器和第二质量流量控制器输入端;低温水浴装置包括低温恒温水浴箱和水浴瓶,两个质量流量控制器输出端混合并分为两支路,第一支路连接样品舱进气口,第二支路连接水浴瓶进气口,水浴瓶出气口连接样品舱进气口;氧浓度检测系统包括氧浓度检测舱和设置铅铋的液态金属容器,氧浓度检测舱顶部插入有BiBi22O33型参比电极和Mo工作电极,氧浓度检测舱进气口连接样品舱出气口,氧浓度检测舱出气口连接有背压阀。
本发明授权一种在氧控铅铋腐蚀环境中原位XRD表征的装置及方法在权利要求书中公布了:1.一种氧控铅铋腐蚀环境中原位XRD表征的装置,其特征在于,包括样品舱、氧浓度控制系统和氧浓度检测系统,氧浓度控制系统包括流量控制系统以及低温水浴装置; 样品舱中空设置,且两侧分别设置有样品舱进气口5和样品舱出气口6,内部设置有样品台9;样品舱包括带孔壳体1,带孔壳体1为四通结构,顶部设置有顶部视窗3,顶部视窗3轴处于垂直位置,用于背散荧光探测,带孔壳体1两侧均设置有侧面视窗8,两个侧面视窗8同轴,且该轴处于水平位置,X射线由此射入与射出,底部设置有第一底部带孔壳体10,样品台9位于第一底部带孔壳体10的顶部,第一底部带孔壳体10底部设置有样品舱加热丝13和测温管11,水冷接口4数量为四个,分别位于靠近带孔壳体1两侧的顶底部;样品舱进气口5和样品舱出气口6分别与氧浓度控制系统以及氧浓度检测系统连接,通入氧控气氛,实现对氧控铅铋腐蚀环境的模拟; 流量控制系统包括Ar气瓶14和Ar5%H2混合气瓶19,Ar气瓶14和Ar5%H2混合气瓶19输出端分别连接有第一质量流量控制器47和第二质量流量控制器45输入端; 低温水浴装置包括低温恒温水浴箱23和水浴瓶24,水浴瓶24内设置有超纯水,水浴瓶24设置在低温恒温水浴箱23内,水浴瓶24上设置有水浴瓶进气口25和水浴瓶出气口26,第一质量流量控制器47和第二质量流量控制器45输出端混合并分为两支路,第一支路连接样品舱进气口5,第二支路连接水浴瓶进气口25,水浴瓶出气口26连接样品舱进气口5; 氧浓度检测系统包括氧浓度检测舱30和内部设置有铅铋的液态金属容器31,氧浓度检测舱30密封设置,内部设置有加热装置,液态金属容器31位于氧浓度检测舱30内,氧浓度检测舱30顶部插入有氧浓度检测舱进气口28、氧浓度检测舱出气口29、BiBi2O3型参比电极34和Mo工作电极35,氧浓度检测舱进气口28连接样品舱出气口6,氧浓度检测舱进气口28浸没于融化后的液态铅铋中,氧浓度检测舱30内设置有热电偶48和氧浓度检测舱加热丝32,氧浓度检测舱加热丝32位于氧浓度检测舱30和液态金属容器31之间,热电偶48插入铅铋中,安装于氧浓度检测舱30顶部的热电偶48浸没于融化后的液态铅铋中,氧浓度检测舱加热丝32配合插入液态金属中的热电偶48控制液态铅铋的温度与样品舱中温度一致,氧浓度检测舱出气口29连接有背压阀36,电压记录终端37与BiBi2O3型参比电极34与Mo工作电极35连接,用于记录和显示电压值,根据所述电压值获得对应溶解氧浓度。
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