江西理工大学郭圣达获国家专利权
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龙图腾网获悉江西理工大学申请的专利一种高纯钨硅复合粉末及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116571757B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310585318.X,技术领域涉及:B22F9/26;该发明授权一种高纯钨硅复合粉末及其制备方法是由郭圣达;李宇涛;陈颢;李韶雨;鲍瑞设计研发完成,并于2023-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高纯钨硅复合粉末及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种高纯钨硅复合粉末及其制备方法。实施例的制备方法包括如下步骤:将高纯氧化钨粉末、提纯后的SiHCl33溶液混合,得到混合物;对该混合物进行氢气加热还原,得到高纯钨硅复合粉末。采用本发明制备的高纯钨硅复合粉末具有元素分布均匀、纯度极高的优点,以该复合粉末为原料可制备出元素分布均匀、内部结构缺陷少的高纯钨硅合金靶材。
本发明授权一种高纯钨硅复合粉末及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种高纯钨硅复合粉末的制备方法,包括如下步骤: 将高纯氧化钨粉末、提纯后的SiHCl3溶液混合,得到混合物;其中,所述氧化钨的纯度为99.9995%以上,所述氧化钨粉末和所述SiHCl3溶液的混合比例按硅元素质量占钨硅复合粉末总质量的5~35%进行控制; 对所述混合物进行氢气加热还原,得到纯度在99.9%以上的高纯钨硅复合粉末;其中,所述氢气加热还原的温度为1100~1250℃,升温速率为3~10℃min,保温时间为30~90min; 其中,所述SiHCl3溶液通过如下方法得到: 将工业硅粉置于合成炉中,通入干燥的HCl气体进行加热反应,生成SiHCl3和HCl混合气体;其中,所述加热反应的温度控制在250~300℃,反应时间为30~90min; 将所述混合气体冷却至20℃以下,使SiHCl3气体冷凝得到SiHCl3溶液; 对所述SiHCl3溶液进行精馏提纯。
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