重庆大学;国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司孙鹏菊获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学;国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司申请的专利一种SiC MOSFET器件键合线老化监测电路及在线监测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116626464B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310578346.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种SiC MOSFET器件键合线老化监测电路及在线监测方法是由孙鹏菊;谢明航;欧阳文远;房新斌;罗全明;杜雄;马兴设计研发完成，并于2023-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC MOSFET器件键合线老化监测电路及在线监测方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种SiCMOSFET器件键合线老化监测电路及在线监测方法，所述电路包括峰值检测电路、模数转换电路和控制运算单元；峰值检测电路包括第一峰值检测电路和第二峰值检测电路；第一峰值检测电路获取器件外部KS端子和S端子之间的电压VVKS‑SKS‑S，第二峰值检测电路获取器件电路中杂散电感上的电压VVCIRCIR；模数转换电路用于对峰值检测电路获取的电压值进行转换，并传给控制运算单元；控制运算单元发出指令，并对模数转换电路获取的数据进行计算，将VVKS‑SKS‑S和VVCIRCIR的比值作为SiCMOSFET器件键合线疲劳老化的特征量指标。具有构思巧妙，设计合理，结构简单等特点，能够在器件开通瞬态过程中提取出老化特征量并进行键合线老化监测。
本发明授权一种SiC MOSFET器件键合线老化监测电路及在线监测方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC MOSFET器件键合线疲劳老化监测电路，其特征在于，包括峰值检测电路、模数转换电路和控制运算单元； 峰值检测电路包括第一峰值检测电路和第二峰值检测电路；第一峰值检测电路获取器件外部KS端子和S端子之间的电压VKS‑S，第二峰值检测电路获取器件电路中杂散电感上的电压VCIR； 模数转换电路用于对峰值检测电路获取的电压值进行转换，并传给控制运算单元； 控制运算单元发出指令，并对模数转换电路获取的数据进行计算，将VKS‑S和VCIR的比值即VKS‑SVCIR，作为SiC MOSFET器件键合线疲劳老化的特征量指标。
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