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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种超低温漂带隙基准电压分段补偿电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116719383B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310080599.3，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种超低温漂带隙基准电压分段补偿电路是由谭杰;李鹏;姚金波;李明玉;叶嵩设计研发完成，并于2023-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超低温漂带隙基准电压分段补偿电路在说明书摘要公布了：一种超低温漂带隙基准电压分段补偿电路，包括启动电路、基准核电路和分段补偿电路，启动电路为基准核电路提供启动信号，启动电路为分段补偿电路提供偏置信号，基准核电路具有电压输出口，电压输出口用于输出一阶带隙基准电压；分段补偿电路具有高温补偿端口和低温补偿端口，分段补偿电路通过高温补偿端口为一阶带隙基准电压提供高温补偿，分段补偿电路通过低温补偿端口为一阶带隙基准电压提供低温补偿。采用少量的补偿元件进行高、低温分段补偿，补偿电路结构简单明了，设计复杂度较低并且设计成本低。一阶带隙基准补偿电路基础上增加两路nA级的电流，从而降低了整体电路的功耗。

本发明授权一种超低温漂带隙基准电压分段补偿电路在权利要求书中公布了：1.一种超低温漂带隙基准电压分段补偿电路，包括启动电路和基准核电路，其特征在于：还包括分段补偿电路，所述启动电路为所述基准核电路提供启动信号，所述启动电路为所述分段补偿电路提供偏置信号，所述基准核电路具有电压输出口，所述电压输出口用于输出一阶带隙基准电压； 所述分段补偿电路具有高温补偿端口和低温补偿端口，所述分段补偿电路通过所述高温补偿端口为所述一阶带隙基准电压提供高温补偿，所述分段补偿电路通过低温补偿端口为所述一阶带隙基准电压提供低温补偿； 所述分段补偿电路包括MOS管M14、MOS管M15、MOS管M16、MOS管M17、三极管Q6和三极管Q7； MOS管M14的源极与电源端口VIN相连，MOS管M14的漏极与MOS管M16的源极相连，该MOS管M16的漏极为高温补偿端口； MOS管M15的源极与电源端口VIN相连，MOS管M15的栅极与MOS管M14的栅极相连； MOS管M15和MOS管M14的栅极形成的公共端与基准核电路中的MOS管M9和MOS管M10的栅极形成的公共端相连； MOS管M15的漏极与MOS管M17的源极相连，该MOS管M17的栅极与MOS管M16的栅极相连，该MOS管M17的漏极与三极管Q6的集电极相连，该MOS管M17的栅极与漏极相连，该三极管Q6的发射极经电阻R8与接地端GND相连，三极管Q6采用负温度特性材质； 三极管Q6的基极一支路与MOS管M13的漏极相连，该MOS管M13的源极与电源端口VIN相连，该MOS管M13的栅极连接在MOS管M15和MOS管M14的栅极形成的公共端上； 该三极管Q6的基极另一支路经电阻R7与接地端GND相连； 三极管Q7的集电极与电源端口VIN相连，该三极管Q7的发射极经电阻R10与接地端GND相连，该三极管Q7的基极与电阻R9的第一端相连，该电阻R9的第二端为低温补偿端口。

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