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北京科技大学杨树峰获国家专利权

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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利TC4合金的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116770114B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310747532.0,技术领域涉及:C22C1/03;该发明授权TC4合金的制备方法是由杨树峰;李明宇;苗庆东;刘威;杨曙磊;鄢宇灿设计研发完成,并于2023-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

TC4合金的制备方法在说明书摘要公布了:本申请提供一种TC4合金的制备方法,涉及冶金领域。该制备方法包括:将原料按照Ti‑6Al‑4V配比进行配料,混匀后将其压制成电极块,进行真空等离子焊接,得到自耗电极;装炉对中后依次进行第一、第二、第三真空电弧熔炼,冷却得到TC4合金铸锭;第一真空电弧熔炼和第二真空电弧熔炼执行起弧阶段控制和稳定熔炼阶段控制,第三真空电弧熔炼执行弧阶段控制、稳定熔炼阶段控制和热封顶阶段控制。本申请提供的TC4合金的制备方法,控制稳定熔炼阶段的熔池形貌稳定,减小熔池深度,为铸锭凝固提供良好条件;熔炼阶段、热封顶阶段保证熔池流动平稳运行,使液相温度与成分均匀,减小枝晶间距,提高铸锭均匀性。

本发明授权TC4合金的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种TC4合金的制备方法,其特征在于,包括: 将原料按照Ti‑6Al‑4V配比进行配料,混匀后将其压制成电极块,进行真空等离子焊接,得到自耗电极; 装炉对中后依次进行第一真空电弧熔炼、第二真空电弧熔炼、第三真空电弧熔炼,冷却得到TC4合金铸锭; 其中,所述第一真空电弧熔炼和所述第二真空电弧熔炼执行起弧阶段控制和稳定熔炼阶段控制,所述第三真空电弧熔炼执行起弧阶段控制、稳定熔炼阶段控制和热封顶阶段控制; 所述起弧阶段控制包括:起弧阶段的稳弧电流按式1计算,所述式1为I0=k0D2×2.5×10‑7; 所述稳定熔炼阶段控制包括:稳定熔炼阶段的稳弧电流按式2计算,所述式2为I1=k1I+k2I0; 所述热封顶阶段控制包括:热封顶阶段的稳弧电流按式3计算,所述式3为I2=k3I1; 式中,I0为起弧阶段的稳弧电流,A;k0为常数,取55‑65;D为所述TC4合金铸锭的直径,mm;I1为稳定熔炼阶段的稳弧电流,A;k1为常数,取0.08‑0.12;I为熔炼电流,kA;k2为常数,取3.48‑3.52;I2为热封顶阶段的稳弧电流,A;k3为常数,取0.95‑0.98。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京科技大学,其通讯地址为:100083 北京市海淀区学院路30号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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