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龙图腾网获悉珠海恒格微电子装备有限公司申请的专利一种深硅刻蚀方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116854025B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310705106.0，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种深硅刻蚀方法及设备是由李志强;许辉;王韬;赵义党设计研发完成，并于2023-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种深硅刻蚀方法及设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种深硅刻蚀方法及设备，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：a、采用刻蚀气体对晶圆进行深硅刻蚀，排出反应气体；b、通入高氟含量的刻蚀气体进行刻蚀，关闭背氦冷却系统，使晶圆温度升高；对侧壁进行各向同性刻蚀，排出反应气体；c、通入C44F88气体并对其离子化，沉积聚四氟乙烯钝化层，排出反应气体；d、通入刻蚀气体SF66，背氦冷却系统满功率工作；进行各向异性刻蚀，排出反应气体；e、对SiO22进行选择性各向同性腐蚀，释放出结构。本发明的方法在利用深硅刻蚀中的钝化层形成过程中直接沉积聚四氟乙烯防粘层，不仅可以简化工艺步骤，还有效避免了传统工艺流程中在结构释放后就产生的吸合粘连失效情况。

本发明授权一种深硅刻蚀方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种深硅刻蚀方法，其特征在于：包括以下步骤： a、采用含有碳氟化合物CxFy的刻蚀气体对晶圆进行深硅刻蚀，以使反应过程中刻蚀反应和沉积反应同时进行，真空度≤200mTorr，RF功率≥5000W，刻蚀完成后侧壁留下残留钝化层，排出反应气体；其中，所述碳氟化合物CxFy中氟碳比yx＞1； b、通入高氟含量的刻蚀气体，使刻蚀反应达到最佳水平，同时通过控制器关闭背氦冷却系统，使晶圆温度升高至＞80℃，以加快对侧壁钝化层的刻蚀；对侧壁进行各向同性刻蚀，以去除侧壁的钝化层，排出反应气体； c、通入C4F8气体，并通过ICP将C4F8气体离子化，在器件表面沉积聚四氟乙烯防粘层，排出反应气体； d、通入高氟含量的刻蚀气体，开启射频线圈，RF功率1200W，偏置功率200W，通过控制器打开背氦冷却系统并使其满功率工作，避免晶圆温度升高，以减少对侧壁防粘层的侵蚀； 进行各向异性刻蚀，以去除SiO2的防粘层，排出反应气体； e、采用缓冲氢氟酸或气态氟化氢对SiO2进行选择性各向同性腐蚀，释放出器件结构； 其中，步骤b和d中所述高氟含量的刻蚀气体为SF6或CxFy，且CxFy中氟碳比yx＞2。

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