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龙图腾网获悉吉光半导体科技有限公司申请的专利宽调谐快速扫频滤波器芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116974118B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311117558.3，技术领域涉及：G02F1/21；该发明授权宽调谐快速扫频滤波器芯片是由陈泳屹;徐岩;王珏;葛济铭;赵天野;张德晓设计研发完成，并于2023-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽调谐快速扫频滤波器芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及光学滤波器芯片技术领域，尤其涉及一种宽调谐快速扫频滤波器芯片。包括衬底、分布布拉格反射镜、电极、相位匹配层、相变材料层；在所述衬底上紧密堆叠第一分布布拉格反射镜、第一电极；所述相变材料层的上下表面分别设置有所述相位匹配层，其中一个相位匹配层设置于所述第一电极上表面，另一个相位匹配层上方依次紧密堆叠第二电极和第二分布布拉格反射镜；所述第一电极和第二电极的部分上表面暴露，用于施加电流或电压；所述相变材料层在所述电流或电压的引导下发生折射率的变化，使所述第一相位匹配层、相变材料层和第二相位匹配层的有效光学厚度发生变化，进而实现调谐。优点在于：波长调谐精度重复可控，扫频效率高。

本发明授权宽调谐快速扫频滤波器芯片在权利要求书中公布了：1.宽调谐快速扫频滤波器芯片，其特征在于：包括衬底、分布布拉格反射镜、电极、相位匹配层、相变材料层；所述分布布拉格反射镜包括第一分布布拉格反射镜和第二分布布拉格反射镜，用于提供FP谐振腔两侧的反射；所述电极包括第一电极和第二电极； 在所述衬底上紧密堆叠第一分布布拉格反射镜、第一电极； 所述相变材料层的上下表面分别设置有第一相位匹配层和第二相位匹配层，第一相位匹配层设置于所述第一电极上表面，第二相位匹配层上方依次紧密堆叠第二电极和第二分布布拉格反射镜；所述相位匹配层的材料为导电材料或绝缘材料；当用于对所述宽调谐快速扫频滤波器芯片施加电流时，所述相位匹配层的材料为导电材料；当用于对所述宽调谐快速扫频滤波器芯片施加电压时，所述相位匹配层的材料为绝缘材料； 所述第一电极和第二电极的部分上表面暴露，用于施加电流或电压； 所述相变材料层在所述电流或电压的引导下发生折射率的变化，使所述第一相位匹配层、相变材料层和第二相位匹配层的有效光学厚度发生变化，进而实现调谐；所述相变材料包括VO2、V2O5、锗锑碲、碲化钼、钛锑碲、液晶或电致变色材料。

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