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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种基于形变势近似的电输运性能高通量计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116994677B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310620697.1，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种基于形变势近似的电输运性能高通量计算方法是由席丽丽;杨炯;金叶青设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于形变势近似的电输运性能高通量计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于形变势近似的电输运性能高通量计算方法。该方法将电输运性能计算中涉及的电子弛豫时间，只考虑电声相互作用，并使用形变势近似描述这一电声相互作用。发展了形变势常数的高通量计算方法，使用第一条能带平均值作为参考态，并将获得的形变势常数数据集用于高通量电输运性能计算。本方法与常数弛豫时间近似和常数平均自由程近似方法相比，具有更高的精度，与精确电声耦合方法相比，节约成本和时间更适用于高通量计算。本方法基于MatHub‑3d数据库，从该数据库中筛选出11993条半导体材料，高通量计算了11993种半导体材料的形变势常数，运用这一形变势常数数据集，高通量预测了10195条半导体材料的电输运性能。

本发明授权一种基于形变势近似的电输运性能高通量计算方法在权利要求书中公布了：1.一种基于形变势近似的电输运性能高通量计算方法，其特征在于，包括如下步骤： 1利用VASP软件通过高通量计算方法对数据库中11993条半导体材料进行形变势和体模量计算，改变晶体原胞体积，进行电子自洽计算，得到11993种化合物的形变势和体模量常数，形变势计算公式如下所示： 其中E为价带顶和导带底的能量值，Eref为参考能级的能量值，此处取第一条能带的平均值，lnV为体积变化率； 2设置线性拟合判定系数标准，筛选形变势常数拟合良好的化合物； 3利用VASP软件进行电子结构计算，筛选出收敛结构10195条； 4基于上述步骤3的计算结果，结合TransOpt2.0程序进行后处理，采用半经验的玻尔兹曼输运理论进行计算电输运性能，计算公式如下所示： 式中εnk和vnk分别是在能带编号n和倒空间坐标k下的能量本征值和电子群速度，参数T、μ、V、fμ、e分别为绝对温度、费米能级、原胞体积、费米‑狄拉克分布、电子电荷，τnk为电子弛豫时间，对于电子弛豫时间的处理引入形变势方法，该方法下的弛豫时间计算公式如下所示： kBTE2B近似表征电声耦合矩阵元，n为能带编号，k为波矢，E为形变势，B为体模量，所述步骤1中计算的形变势常数和体模量常数代入公式4中的弛豫时间计算，T为温度，温度取700K，本步骤得到10195个化合物的电输运性能，包括电导率、泽贝克系数、洛伦兹数和功率因子。

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