深圳金美新材料科技有限公司臧世伟获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳金美新材料科技有限公司申请的专利一种导电膜的制备方法和导电膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117026181B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310828726.3，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种导电膜的制备方法和导电膜是由臧世伟;刘文卿设计研发完成，并于2023-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种导电膜的制备方法和导电膜在说明书摘要公布了：本发明提供一种导电膜的制备方法和导电膜，该制备方法包括：获取支撑层；在真空镀膜设备中采用磁控溅射镀膜的方式在所述支撑层上层积第一导电层；其中，所述第一导电层包括第一金属颗粒和第二金属颗粒，所述第一金属颗粒的粒径大于所述第二金属颗粒的粒径。本发明实施例中，第一导电层中的设置两种不同的金属颗粒的粒径，增加了第一金属颗粒与第二金属颗粒之间的结合力，大大提高第一导电层中的金属颗粒之间更加的紧密性，同时也提高了第一导电层与支撑层之间的粘结力。
本发明授权一种导电膜的制备方法和导电膜在权利要求书中公布了：1.一种导电膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 获取支撑层； 在真空镀膜设备中采用磁控溅射镀膜的方式在所述支撑层上层积第一导电层；其中，所述第一导电层包括第一金属颗粒和第二金属颗粒，所述第一金属颗粒的粒径大于所述第二金属颗粒的粒径，且所述第一金属颗粒与所述第二金属颗粒交替的设置在所述支撑层的表面；所述的在真空镀膜设备中采用磁控溅射镀膜的方式在所述支撑层上层积第一导电层，具体包括： 以第一电离电压、第一气流速度和第一走膜速度在所述支撑层上层积第一金属颗粒； 以第二电离电压、第二气流速度和第二走膜速度在所述支撑层上层积第二金属颗粒，所述第二金属颗粒位于相邻两个所述第一金属颗粒之间；其中，所述第一电离电压小于所述第二电离电压，所述第一气流速度大于所述第二气流速度，所述第一走膜速度大于所述第二走膜速度； 相邻两个所述第一金属颗粒之间的间隙为所述第二金属颗粒粒径的整数倍。
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