昆明理工大学叶乾旭获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种高效制备CVD法石墨烯粉体的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117185286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311286542.5，技术领域涉及：C01B32/186；该发明授权一种高效制备CVD法石墨烯粉体的方法是由叶乾旭;李智;张明倩;蔡金明;邓泽立设计研发完成，并于2023-10-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高效制备CVD法石墨烯粉体的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高效制备CVD法石墨烯粉体的方法。以枝晶铜粉为基底，C22H22为碳源，HNO33或Fe3+3+为刻蚀剂；首先在较低温度下于枝晶铜粉表面原位沉积一层无定形碳；然后升高温度，让无定形碳于枝晶铜粉表面原位转化为高质量石墨烯薄膜；再将表面生长了石墨烯的枝晶铜复合粉体由刻蚀剂将金属铜完全溶解，再经过滤、去离子水洗涤和干燥，最终获得高质量CVD法石墨烯粉体。该法可有效阻止枝晶铜粉在高温时的融合长大、保持其初始的高比表面积，实现CVD法石墨烯粉体的高效制备。
本发明授权一种高效制备CVD法石墨烯粉体的方法在权利要求书中公布了：1.一种高效制备CVD法石墨烯粉体的方法，其特征在于： 以枝晶直径不大于1 μm的枝晶铜粉为基底，C2H2为碳源，含HNO3或Fe3+的溶液为刻蚀剂； 首先将枝晶铜粉在低真空的还原性气氛下升温至50～400℃；然后通入C2H2，开启等离子体，保温一段时间，使枝晶铜粉表面原位生长一层无定形碳；再关闭C2H2，将温度升至700‑950℃，保温10‑60min；最后关闭等离子体、随炉冷却，获得石墨烯枝晶铜复合粉体；采用刻蚀剂将该复合粉体中铜完全溶解掉，再经过滤、去离子水洗涤、干燥，最终获得高质量CVD法石墨烯粉体。
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