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龙图腾网获悉宁波阳光和谱光电科技有限公司申请的专利一种Ge-Se-Te硫系相变薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117328028B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311447854.X，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种Ge-Se-Te硫系相变薄膜及其制备方法是由陈益敏;陈琪琪;顾辰杰;高一骁;沈祥;吕社钦;娄绍慧设计研发完成，并于2023-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Ge-Se-Te硫系相变薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种Ge‑Se‑Te硫系相变薄膜及其制备方法，包括以下步骤：S1：取衬底并清洗、吹干洗净后保存，并选取高纯度的Ge、Se、Te作为溅射靶材备用；S2：开启磁控溅射镀膜系统的抽真空系统，对腔室进行抽真空处理；S3：调整所述溅射靶材的溅射角度为120‑145°，将Te靶材安装在磁控直流溅射靶上，将Ge靶材和Se靶材安装在磁控射频溅射靶上以进行溅射，待真空度达到溅射标准后，在溅射腔室内持续通入氩气直至溅射腔室内气压达到起辉所需气压，随后降低氩气通量，开始溅射，溅射过程中保持Te靶材、Ge靶以及Se靶的功率不变，溅射结束后，即得到沉积态Ge‑Se‑Te硫系相变薄膜。通过本发明解决了常规硫系薄膜材料无法同时兼备大光学对比度和低损耗的的问题。

本发明授权一种Ge-Se-Te硫系相变薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Ge‑Se‑Te硫系相变薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： S1：取衬底并清洗、吹干洗净后保存，并选取高纯度的Ge、Se、Te作为溅射靶材备用； S2：开启磁控溅射镀膜系统的抽真空系统，对腔室进行抽真空处理； S3：调整所述溅射靶材的溅射角度为120‑145°，将Te靶材安装在磁控直流溅射靶上，将Ge靶材和Se靶材安装在磁控射频溅射靶上以进行溅射，待真空度达到溅射标准后，在溅射腔室内持续通入氩气直至溅射腔室内气压达到起辉所需气压，随后降低氩气通量，开始溅射，溅射过程中保持Te靶材、Ge靶以及Se靶的功率不变，溅射结束后，即得到沉积态Ge‑Se‑Te硫系相变薄膜；所述步骤S3中，所述Te靶材的功率为15W，所述Ge靶材的功率为25W，所述Se靶材的功率为8W； 所述步骤S3结束后还包括步骤S4和步骤S5，包括： S4: 利用Tauc公式计算相变前后材料光学带隙进行初步筛选； S5：使用椭偏仪测试筛选后薄膜沉积态与结晶态的折射率，验证筛选流程准确性，完成筛选。

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