中国科学院兰州化学物理研究所吕文泉获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院兰州化学物理研究所申请的专利一种DLC自润滑薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117587407B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311568696.3,技术领域涉及:C23C28/04;该发明授权一种DLC自润滑薄膜及其制备方法是由吕文泉;周峰;吕哲馨;张远航;蔡美荣;胡海龙设计研发完成,并于2023-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种DLC自润滑薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种DLC自润滑薄膜及其制备方法,涉及表面改性处理技术领域。本发明针对类金刚石薄膜存在的固有缺陷和应用瓶颈,利用复合磁过滤阴极电弧沉积FCVA和等离子体增强化学气相沉积PECVD镀膜技术,将材料组成复合多元化和结构梯度化相结合,采用添加过渡层薄膜的方法来提高材料的热稳定性,改善材料的内应力,提高膜基结合力。本发明提供的DLC自润滑薄膜与基体的结合力强,耐磨性和热稳定性好,使用寿命长,可靠性高。
本发明授权一种DLC自润滑薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种DLC自润滑薄膜,其特征在于,包括附着在钢基体上的依次层叠的离子注入Cr层、DLC过渡层和含氢DLC层; 所述离子注入Cr层中Cr离子以C2Cr3形式存在; 所述DLC过渡层由高SP3价键结构的DLC膜与若干层高SP2价键结构的DLC膜依次层叠形成;所述高SP2价键结构的DLC膜与离子注入Cr层接触,所述高SP3价键结构的DLC膜与含氢DLC层接触; 所述高SP3价键结构的DLC膜中SP3价键的含量高于SP2价键的含量,所述高SP2价键结构的DLC膜中SP2价键的含量高于SP3价键的含量;沿离子注入Cr层向含氢DLC层方向,所述DLC过渡层中SP2价键的含量逐渐降低,SP3价键的含量逐渐升高; 所述高SP3价键结构的DLC膜的厚度为50~250nm; 所述高SP2价键结构的DLC膜的总厚度为0.1~0.25μm,单层高SP2价键结构的DLC膜的厚度为10~50nm; 所述DLC过渡层的总厚度为0.2~0.5μm; 所述高SP3价键结构的DLC膜中SP3价键的含量为60~80%;每层所述高SP2价键结构的DLC膜中SP2价键的含量为60~80%。
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