拓荆科技股份有限公司章志敏获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技股份有限公司申请的专利一种用于半导体设备的阀门集成块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117628223B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311362611.6，技术领域涉及：F16K11/00；该发明授权一种用于半导体设备的阀门集成块是由章志敏;鞠子辰;厉博明设计研发完成，并于2023-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于半导体设备的阀门集成块在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于半导体设备的阀门集成块，包括阀块主体以及混气模块，该阀块主体的输出气体通入该混气模块。该混气模块包括第一混气腔室、第二混气腔室、散射喷头以及圆周斜管道；该散射喷头的主体设置在第一混气腔室内，该阀块主体的输出气体经该散射喷头通入第一混气腔室混合；该圆周斜管道连接在第一混气腔室和第二混气腔室之间，第一混气腔室混合后的气体经过该圆周斜管道进入第二混气腔室再次混合。
本发明授权一种用于半导体设备的阀门集成块在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体设备的阀门集成块，其特征在于，包括： 阀块主体以及混气模块，该阀块主体的输出气体通入该混气模块； 其中，该混气模块包括： 第一混气腔室、第二混气腔室、散射喷头以及圆周斜管道； 该散射喷头的主体设置在第一混气腔室内，该阀块主体的输出气体经该散射喷头通入第一混气腔室混合； 该圆周斜管道连接在第一混气腔室和第二混气腔室之间，第一混气腔室混合后的气体经过该圆周斜管道进入第二混气腔室再次混合； 其中，该散射喷头的主体外周上均匀分布有不同朝向的多个孔隙；该圆周斜管道为多个绕圆柱型外周排布的斜管道；该散射喷头和该圆周斜管道均采用扩散与对流法相结合原理，该散射喷头的孔隙利于气体扩散混合，同时不同朝向的该孔隙可改变气体流动方向，强制气体在该混气模块中循环，再经第一混气腔室和第二混气腔室混合，充分提高气体混合后的均匀性。
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