之江实验室杨丽慧获国家专利权
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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利一种室温优化Si衬底上NbN薄膜超导转变温度的方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117684125B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311611199.7，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种室温优化Si衬底上NbN薄膜超导转变温度的方法及其应用是由杨丽慧;张晓航;张超;段然;赵志峰;李菂;穆堂杰;余诗玲;冯毅;陈志伟设计研发完成，并于2023-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种室温优化Si衬底上NbN薄膜超导转变温度的方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种室温优化Si衬底上NbN薄膜超导转变温度的方法及其应用，包括以下步骤：固定Si衬底温度为室温，溅射功率为100W～300W，沉积气压为1mTorr～5mTorr，反应气体N22和工作气体Ar的气体质量流量比为15％～35％，溅射时间为1200s～1500s，在Si衬底上沉积得到具有高超导转变温度的NbN超导薄膜。本发明方法制备出的NbN超导薄膜的超导转变温度能够达到14.07K，且沉积温度为室温，制备方法简单可靠，可重复性好，可工业批量化生产，同时为后续NbN超导材料的机制研究、超导动态电感探测器研制及其工程应用提供了有力的材料支撑。
本发明授权一种室温优化Si衬底上NbN薄膜超导转变温度的方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种室温优化Si衬底上NbN薄膜超导转变温度的方法，其特征在于，包括以下步骤： 固定Si衬底温度为室温，溅射功率为300W，沉积气压为2mTorr，反应气体N2和工作气体Ar的气体质量流量比为30%，溅射时间为1500s，在Si衬底上沉积得到超导转变温度为14.07K的NbN超导薄膜。
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