拓荆科技(上海)有限公司韦德获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉拓荆科技(上海)有限公司申请的专利一种成膜方法及成膜装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117778991B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311814644.X，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权一种成膜方法及成膜装置是由韦德;冯嘉恒;薛国标;刘英明;李广福;孙萌萌;赵郁晗;谭浩;孟令玉设计研发完成，并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种成膜方法及成膜装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件制造技术领域，更具体的说，涉及一种成膜方法及成膜装置。本发明提供了一种成膜方法，包括以下步骤：将晶圆移入腔室中，判断腔室内是否存在一定厚度的规定薄膜作为预涂层，如果存在，则进入下一步骤；通入化学源气体，在预涂层上方沉积缓冲层；通入前驱体，在缓冲层上方沉积规定薄膜，通入还原气体对残留的前驱体进行还原；其中，所述规定薄膜为含Ti金属薄膜，前驱体为无机含Ti材料。本发明通过改善工艺、精确温度控制和优化晶圆入室时机，能够覆盖腔室内颗粒，有效控制颗粒在腔室内的扩散和污染，在提高薄膜质量的同时，有效避免了潜在的设备问题，从而提高了生产效率和产品质量。
本发明授权一种成膜方法及成膜装置在权利要求书中公布了：1.一种成膜方法，其特征在于，包括以下步骤： 将晶圆移入腔室中，判断腔室内是否存在一定厚度的规定薄膜作为预涂层，如果存在，则进入下一步骤，如果不存在预涂层，则沉积一定厚度的规定薄膜作为预涂层； 通入化学源气体，在预涂层上方沉积缓冲层； 通入前驱体，在缓冲层上方沉积规定薄膜，通入还原气体对残留的前驱体进行还原； 其中，所述规定薄膜为含Ti金属薄膜，前驱体为无机含Ti材料，腔室内的工艺温度保持为同一个温度范围。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆科技(上海)有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢304室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励