西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院郑思颖获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院申请的专利一种垂直沟道型可重构晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118299427B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410470292.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种垂直沟道型可重构晶体管及其制备方法是由郑思颖;周久人;王辰波;刘艳;韩根全设计研发完成，并于2024-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直沟道型可重构晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直沟道型可重构晶体管及其制备方法，晶体管主要包括漏端电极、垂直沟道层、栅介质层、编程端电极、控制端电极、源端电极和硅衬底。垂直沟道层直接设置在硅衬底上，为布置漏端电极，垂直沟道层的上端沿水平方向延伸，形成上端延伸部。编程端电极和控制端电极布置在垂直沟道层的上端延伸部与硅衬底之间，二者相互隔离，并与垂直沟道层的垂直部之间以栅介质层相接。源端电极和漏端电极肖特基接触实现可重构的功能。本发明垂直沟道层和栅介质层的结构，在较小的面积上实现了器件的集成，本发明通过编程端电极调控垂直沟道层内的载流子类型，能够调控器件的工作模式，通过控制端电极则能够调控垂直沟道中导通电荷的浓度。
本发明授权一种垂直沟道型可重构晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直沟道型可重构晶体管，其特征在于，包括漏端电极1、垂直沟道层2、隔离氧化层3、栅介质层4、编程端电极6、控制端电极7、源端电极8和硅衬底9； 所述垂直沟道层2设置在硅衬底9上，其上端沿水平方向延伸，编程端电极6和控制端电极7通过隔离氧化层3相互隔离，布置在垂直沟道层2的上端延伸部与硅衬底9之间，并与垂直沟道层2的垂直部之间以栅介质层4相接； 通过所述编程端电极6调控垂直沟道层2内的载流子类型，从而调控器件的工作模式，通过所述控制端电极7调控垂直沟道层2中导通电荷的浓度。
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