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龙图腾网获悉西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院申请的专利一种可重构铁电晶体管存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118434152B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410412101.3，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权一种可重构铁电晶体管存储器及其制备方法是由郑思颖;周久人;王辰波;刘艳;韩根全设计研发完成，并于2024-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可重构铁电晶体管存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种可重构铁电晶体管存储器，包括存储端电极、存储端介质层、编程端电极、介质层、源端电极、漏端电极、超薄沟道层、二氧化硅层和硅衬底；通过对存储端电极施加脉冲信号，调控沟道的阈值电压，从而改变存储状态，使得晶体管具有信息存储功能；通过编程端和存储端的多个栅极控制沟道载流子，并利用肖特基势垒的双极性，实现FeFET在同一器件上N型和P型的动态切换，使得FeFET存储器具备可重构特性。本发明利用存储端介质层非易失存储特性，以脉冲信号调控超薄沟道层中存储的电荷，以直流信号调控超薄沟道层中导通电荷的类型和浓度，使得单个晶体管具有信息存储功能，本发明还具有稳定的耐久特性、保持特性和突触特性，具有可重构优势。

本发明授权一种可重构铁电晶体管存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可重构铁电晶体管存储器，其特征在于，包括存储端电极1、存储端介质层2、编程端电极3、编程端介质层4、源端电极5、漏端电极6、超薄沟道层7、二氧化硅层8和硅衬底9； 所述硅衬底9、二氧化硅层8和超薄沟道层7依次设置，所述存储端介质层2、编程端介质层4、源端电极5和漏端电极6设置在所述超薄沟道层7远离二氧化硅层8的一面； 所述存储端电极1设置在所述存储端介质层2远离超薄沟道层7的一面，所述编程端电极3设置在所述编程端介质层4远离超薄沟道层7的一面； 所述存储端介质层2将所述源端电极5、漏端电极6以及所述编程端电极3隔离； 通过对所述存储端电极1施加脉冲信号，调控所述超薄沟道层7的阈值电压，从而改变存储状态，使得晶体管具有信息存储功能； 所述可重构铁电晶体管存储器的开启电压代表该晶体管的电荷存储状态； 所述存储端电极1通过电荷存储控制超薄沟道层7的阈值电压以及器件的开关，编程端电极3负责调控超薄沟道层7中导通电荷的类型和浓度； 所述存储端介质层2的极化状态存储了存储端电极1的信息，并在脉冲结束后持续调控器件的工作状态； 所述源端电极5和漏端电极6的金属与半导体的功函数近似，为肖特基接触提供相近的电子和空穴隧穿势垒。

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