湖北大学韩伟获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北大学申请的专利一种基于快速降温化学气相沉积法制备大面积二维硒化铟薄膜晶体材料的方法及其制备的产品和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118600534B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410715184.3，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种基于快速降温化学气相沉积法制备大面积二维硒化铟薄膜晶体材料的方法及其制备的产品和应用是由韩伟;关爽;危家昀;江加兴;祝习墨;王浩设计研发完成，并于2024-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于快速降温化学气相沉积法制备大面积二维硒化铟薄膜晶体材料的方法及其制备的产品和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于快速降温化学气相沉积法制备大面积二维硒化铟薄膜晶体材料的方法及其制备的产品和应用，涉及二维材料制备技术领域。本发明方法中的前驱体与衬底的垂直距离为3毫米左右和1毫米左右，相较于传统化学气相沉积法所需的10cm以上距离，此超短的传输距离可以在生长衬底上提供一个稳定、均匀且持续的气源供应，从而获得大尺寸的硒化铟薄膜。按本发明方法制备的二维硒化铟薄膜是具有高电子迁移率、高质量和较宽带隙，且β′和α相存在铁电效应，在铁电晶体管和光电探测器的应用中具有广阔前景。
本发明授权一种基于快速降温化学气相沉积法制备大面积二维硒化铟薄膜晶体材料的方法及其制备的产品和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于快速降温化学气相沉积方法制备大面积二维α相In2Se3薄膜晶体材料的方法，其特征在于：将反应源材料α‑In2Se3粉末及生长衬底放入石英舟内，所述生长衬底置于源材料的正上方0.5‑1.5mm处；然后再将石英舟放入化学气相沉积系统生长室内的高温加热区，在惰性气体条件下加热升温至750‑850℃保温45‑55min；保温结束后，将所述石英舟移出高温加热区并随炉冷却至室温，即可得到所述的大面积二维α相In2Se3薄膜晶体材料。
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