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龙图腾网获悉中国工程物理研究院激光聚变研究中心申请的专利大口径磷酸二氢钾类晶体元件的抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118769032B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411128475.9，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权大口径磷酸二氢钾类晶体元件的抛光方法是由赵世杰;张明壮;田亮;金波佳;谢瑞清;廖德锋;王健;张剑锋;樊非设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本大口径磷酸二氢钾类晶体元件的抛光方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种可以实现晶体面形精度快速收敛的大口径磷酸二氢钾类晶体元件的抛光方法，该方法包括以下步骤：1配置油基抛光液；2在与晶体元件等尺寸的基板表面贴真空吸附垫；3晶体元件背面贴光致失粘保护胶带，将晶体元件吸附在真空吸附垫上，并安装到机床的工装上；4对晶体元件的加工面进行快速抛光；5快速抛光完成后，抬升工件盘，将晶体元件和基板从抛光盘上取下；6对晶体元件进行翻面快速抛光。本发明采用硬质抛光盘全口径抛光的方法对晶体元件进行加工，抛光过程中晶体元件全表面与抛光工具同时接触，实现了基于刚性对研方式的快速加工，晶体面形精度快速收敛，可广泛应用于各类规格光学元件的加工。

本发明授权大口径磷酸二氢钾类晶体元件的抛光方法在权利要求书中公布了：1.大口径磷酸二氢钾类晶体元件的抛光方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 1配置油基抛光液； 2在与晶体元件11等尺寸的基板1表面贴真空吸附垫10； 3晶体元件11背面贴光致失粘保护胶带，将晶体元件11吸附在真空吸附垫10上，并将晶体元件11与基板1整体安装到机床的工装上； 4对晶体元件11的加工面进行快速抛光，将平面度提高至10μm内，快速抛光参数为： 转速15～20rpm，加工压力800～1200Pa，磨料粒度≥1μm，加工时间20～40min； 5快速抛光完成后，抬升工件盘3，将晶体元件11和基板1从抛光盘12上取下，并采用UV光照射胶带，使得晶体元件11与胶带无损剥离，所述抛光盘12采用硬质金属合成抛光盘； 6对晶体元件11进行翻面，快速抛光，将双面平面度提高至10μm内； 7对晶体元件11的加工面进行精密抛光，将平面度提高至2μm，精密抛光参数为：转速3～5rpm，加工压力200～600Pa，磨料粒度0.3～1μm，加工时间10～20min。

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