长鑫存储技术有限公司帅露获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118824987B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310386016.X，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体结构及其形成方法是由帅露;廖君玮;刘志拯设计研发完成，并于2023-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供第一基底，所述第一基底内包括导电结构；于所述第一基底上形成与所述导电结构电连接的重布线层，所述重布线层中包括接触区域；于所述接触区域对所述导电结构进行电性测试；形成保护层于所述重布线层上；通过所述接触区域电连接所述第一基底与第二基底。本公开简化了半导体结构的制造工艺，提高了半导体结构的制造效率。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供第一基底，所述第一基底内包括导电结构； 于所述第一基底上形成与所述导电结构电连接的重布线层，所述重布线层中包括接触区域； 于所述接触区域对所述导电结构进行电性测试； 在进行电性测试之后，于所述重布线层上形成第一保护层，所述第一保护层为氮化硅； 于所述第一保护层上形成第二保护层，所述第二保护层为聚酰亚胺； 形成第一键合层于所述第二保护层的顶面上、以及形成位于所述第一键合层上的第一键合结构； 提供第二基底，并形成第二键合层于所述第二基底上、以及形成位于所述第二键合层上的第二键合结构； 用于键合所述第一基底和所述第二基底的键合力施加于所述第二基底背离所述第一基底的表面上，所述第一键合结构的一端在所述键合力的作用下沿所述第二基底指向所述第一基底的方向贯穿第一键合层、所述第二保护层和所述第一保护层，与重布线层中的接触区域直接接触电连接，所述第一键合结构的另一端与第二键合结构电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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