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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利高可靠大功率三维异构集成射频天线一体化微系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943136B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411029699.4，技术领域涉及：H10W90/00；该发明授权高可靠大功率三维异构集成射频天线一体化微系统是由杨进;张君直;朱健设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本高可靠大功率三维异构集成射频天线一体化微系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高可靠大功率三维异构集成射频天线一体化微系统，包括：DPC基板、铜基三维结构、两级SiC转接板、裸芯片、射频电路、无源器件和天线接口；其中，DPC基板用于实现微系统的一体化三维异构集成；铜基三维结构包括：三维同轴传输结构和三维封装围框结构，用于实现大功率射频信号垂直传输和微系统气密封装围框；两级SiC转接板用于实现2.5D×2的5层超高密度混合三维堆叠架构；裸芯片包括：硅基Fan‑out多功能裸芯片、电源管理裸芯片、功放裸芯片和接收裸芯片；射频电路包括：射频发射电路和射频接收电路。本发明形成了完整的一体化气密封装微系统，同时实现了高可靠、高密度集成和大功率散热。

本发明授权高可靠大功率三维异构集成射频天线一体化微系统在权利要求书中公布了：1.一种高可靠大功率三维异构集成射频天线一体化微系统，其特征在于，包括：DPC基板、铜基三维结构、两级SiC转接板、裸芯片、射频电路、无源器件和天线接口； 其中，DPC基板包括：DPC上基板、DPC中基板和DPC下基板，用于通过5层堆叠一体化封装架构实现微系统的一体化三维异构集成； 铜基三维结构包括：三维同轴传输结构和三维封装围框结构，用于实现大功率射频信号垂直传输和微系统气密封装围框； 两级SiC转接板为高导热SiC转接板，包括：第1级SiC转接板和第2级SiC转接板，用于实现2.5D×2的5层超高密度混合三维堆叠架构； 裸芯片包括：硅基Fan‑out多功能裸芯片、电源管理裸芯片、功放裸芯片和接收裸芯片； 射频电路包括：射频发射电路和射频接收电路； 其中，射频发射电路和两级SiC转接板按照2.5D×2共5层混合三维堆叠架构组装到DPC下基板的上方；第1级SiC转接板和功放裸芯片直接堆叠在DPC下基板的上方；硅基Fan‑out多功能裸芯片通过倒装焊方式组装在第1级SiC转接板的上方；第2级SiC转接板堆叠在硅基Fan‑out多功能裸芯片的上方；电源管理裸芯片通过倒装焊方式组装在第2级SiC转接板的上方；功放裸芯片通过引线键合方式和DPC下基板与两级SiC转接板互连；射频接收电路组装到DPC上基板的下方，通过引线键合方式和DPC上基板互连；天线接口从DPC上基板的上方扇出。

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