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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364753B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310857964.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由宛强;孙耀;张文杰;兰飞飞设计研发完成，并于2023-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该方法包括：提供基底结构，其具有阵列区和外围区，并具有第一介质层，第一介质层中具有接触插塞；在第一介质层上形成第二介质层；蚀刻位于阵列区和外围区的第二介质层至预设深度，形成第一沟槽，其对应覆盖接触插塞，预设深度小于第二介质层的高度；在第一沟槽中形成第一旋涂层；蚀刻位于外围区的第一沟槽中的第一旋涂层，形成第二沟槽，露出位于第一沟槽底部的第二介质层；蚀刻第二沟槽中的第二介质层至露出接触插塞，形成填充孔；去除剩余的第一旋涂层，在第一沟槽和填充孔中共形地形成扩散阻挡层，其与接触插塞连接，并在扩散阻挡层上形成金属层。本公开的方法能提高半导体结构的电学性能及良率。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底结构，所述基底结构具有阵列区和外围区，所述基底结构具有第一介质层，所述第一介质层中具有接触插塞； 在位于所述阵列区和所述外围区的所述第一介质层上形成第二介质层； 蚀刻位于所述阵列区和所述外围区的所述第二介质层至预设深度，形成第一沟槽，所述第一沟槽在竖直方向上对应覆盖至少部分所述接触插塞，所述预设深度小于所述第二介质层在所述竖直方向上的高度； 在剩余的所述第二介质层上以及所述第一沟槽中形成第一旋涂层； 蚀刻位于所述外围区且位于所述第一沟槽中的所述第一旋涂层，形成第二沟槽，露出位于所述第一沟槽底部的所述第二介质层； 蚀刻所述第二沟槽中的所述第二介质层至露出所述接触插塞，形成填充孔； 去除剩余的所述第一旋涂层，在位于所述阵列区和所述外围区的所述第一沟槽和位于所述外围区的所述填充孔中共形地形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层与所述接触插塞连接，并在所述扩散阻挡层上形成金属层； 蚀刻位于所述外围区且位于所述第一沟槽中的所述第一旋涂层，形成第二沟槽，露出位于所述第一沟槽底部的所述第二介质层之后，还包括： 在由所述第一旋涂层形成的所述第二沟槽的侧壁和由露出的所述第二介质层形成的所述第二沟槽的底壁上形成保护层； 位于所述外围区的所述第一沟槽在水平方向上的尺寸大于位于所述阵列区的所述第一沟槽在所述水平方向上的尺寸。

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