长鑫存储技术有限公司杨杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利沟槽结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310835006.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权沟槽结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法是由杨杰设计研发完成，并于2023-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种沟槽结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该沟槽结构包括：沟槽，所述沟槽位于衬底中；氧化物层图案，所述氧化物层图案位于所述沟槽的表面上；氮化物层图案，所述氮化物层图案位于所述氧化物层图案上，且远离所述沟槽的表面；半导体膜图案，所述半导体膜图案位于所述氮化物层图案上，且远离所述氧化物层图案。本公开实施例至少有利于改善热电子诱导穿通。
本发明授权沟槽结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 位于衬底中的浅槽隔离结构，并将所述衬底限定出有源区，所述有源区位于相邻的浅槽隔离结构之间，所述有源区包括漏极、源极，以及位于所述漏极和源极之间的沟道，所述浅槽隔离结构降低所述沟道靠近捕获电子一侧的静电势； 栅极，位于所述有源区的沟道上方和位于所述浅槽隔离结构的上方； 其中，所述浅槽隔离结构包括： 氧化物层图案，所述氧化物层图案位于浅槽隔离结构的沟槽的表面上，并与所述有源区接触； 氮化物层图案，所述氮化物层图案位于所述氧化物层图案上，且远离所述沟槽的表面； 包括多晶硅的半导体膜图案，所述半导体膜图案位于所述氮化物层图案上，且远离所述氧化物层图案，所述半导体膜图案距离所述有源区的距离大于2μm； 包括氧化物的绝缘层图案，所述绝缘层图案填充所述沟槽的剩余空间，所述绝缘层图案位于所述半导体膜图案上，且远离所述氮化物层图案； 包括所述氧化物层图案、所述氮化物层图案、所述半导体膜图案以及所述绝缘层图案的所述浅槽隔离结构的表面高度与所述衬底的表面高度齐平。
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