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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构、半导体结构的形成方法与存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451095B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310975868.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构、半导体结构的形成方法与存储器是由王辉;钱红云;韩武豪;沈洁设计研发完成，并于2023-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构、半导体结构的形成方法与存储器在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构、半导体结构的形成方法与存储器，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底，所述衬底中形成有第一沟槽；介质层，覆盖于所述第一沟槽的内表面，所述介质层至少包括位于所述第一沟槽侧壁上的侧壁介质层以及位于所述第一沟槽底部的底部介质层；位于同一所述第一沟槽内的所述侧壁介质层和所述底部介质层围成字线沟槽，所述字线沟槽包括靠近所述侧壁介质层的边缘区域以及处于所述边缘区域之间的中间区域；字线结构，位于所述字线沟槽内，所述字线结构包括位于所述边缘区域的边缘字线层和位于所述中间区域的中间字线层；所述中间字线层的上表面不低于所述边缘字线层的上表面。本公开能够改善半导体器件的GIDL问题。

本发明授权半导体结构、半导体结构的形成方法与存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底中形成有第一沟槽，所述第一沟槽的内表面覆盖有介质层；所述介质层至少包括位于所述第一沟槽侧壁上的侧壁介质层以及位于所述第一沟槽底部的底部介质层； 位于同一所述第一沟槽内的所述侧壁介质层和所述底部介质层围成字线沟槽，所述字线沟槽包括靠近所述侧壁介质层的边缘区域以及处于所述边缘区域之间的中间区域； 在所述字线沟槽内填充一种或多种字线材料； 在所述衬底的上方形成第一掩膜层，所述第一掩膜层中的缺失部分位于所述边缘区域的正上方； 利用所述第一掩膜层刻蚀位于所述边缘区域正上方的所述字线材料，并控制刻蚀终点不低于所述字线沟槽的顶部； 去除所述第一掩膜层，对剩余的所述字线材料回刻蚀，回刻蚀后的字线材料形成字线结构； 所述字线结构包括位于所述边缘区域的边缘字线层和位于所述中间区域的中间字线层，所述中间字线层的上表面不低于所述边缘字线层的上表面。

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