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龙图腾网获悉烟台哈尔滨工程大学研究院申请的专利一种埋底界面缺陷钝化的反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497497B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411614128.7，技术领域涉及：H10K30/88；该发明授权一种埋底界面缺陷钝化的反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法是由张立泉;徐重阳;吴晟;陈卓;刘学文设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种埋底界面缺陷钝化的反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种埋底界面缺陷钝化的反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域，本发明反式钙钛矿太阳能电池的空穴传输层和钙钛矿吸光层之间有界面修饰层，所述界面修饰层的材料为同时含有疏水性长碳链、带正电的氨基与带负电的卤素官能团的有机化合物，本发明界面修饰层材料中的疏水性长碳链可增强稳定性；带正电的氨基可以通过占据立方八面体点钝化空位，固定在钙钛矿薄膜的晶界和表面上，以补偿薄膜表面上的损失，通过离子键或氢键钝化钙钛矿中的负电缺陷；带负电的卤素官能团可以减缓成膜过程中的结晶度，增大钙钛矿的尺寸，可以提高钙钛矿薄膜的光电性能和器件整体的能量转换效率、耐湿性以及长期稳定性。

本发明授权一种埋底界面缺陷钝化的反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种埋底界面缺陷钝化的反式钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在透明导电基底上制备空穴传输层； 2在所述空穴传输层上制备界面修饰层； 3在所述界面修饰层上制备钙钛矿吸光层； 4在所述钙钛矿吸光层上制备电子传输层； 5在所述电子传输层上制备BCP缓冲层； 6在所述BCP缓冲层上制备顶部金属电极； 所述埋底界面缺陷钝化的反式钙钛矿太阳能电池的空穴传输层上表面和钙钛矿吸光层的下表面之间有界面修饰层； 所述界面修饰层的材料为十六烷基三甲基溴化铵或十六烷基三甲基氯化铵； 所述埋底界面缺陷钝化的反式钙钛矿太阳能电池，由下至上包括：透明导电基底、空穴传输层、界面修饰层、钙钛矿吸光层、电子传输层、BCP缓冲层和顶部金属电极； 所述透明导电基底的厚度为80‑100nm，所述空穴传输层的厚度为10‑20nm，所述钙钛矿吸光层的厚度为400‑500nm，所述电子传输层的厚度为20‑40nm，所述顶部金属电极的厚度为80‑100nm； 在所述空穴传输层上制备所述界面修饰层的方法为：将界面修饰层的材料溶于有机溶剂中，涂覆在所述空穴传输层上，进行退火处理； 所述界面修饰层的材料溶于有机溶剂中后，得到的溶液中界面修饰层的材料的浓度为0.7mgmL； 所述透明导电基底包括氧化铟锡或氟掺杂的氧化锡； 所述空穴传输层的材料包括MeO‑2PACz、PEDOT:PSS和Me‑4PACz中的一种； 所述钙钛矿吸光层的材料结构为ABX3，其中A为CH3NH3+、NH2CH＝NH2+和Cs+中的一种；B为Pb2+和Sn2+中的一种；X为Cl‑、Br‑和I‑中的一种； 所述电子传输层的材料为PCBM和富勒烯中的一种； 所述BCP缓冲层为浴铜灵； 所述顶部金属电极的材料为金、银、铜和铝中的一种。

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