合肥工业大学;上海氢器时代科技有限公司魏海兵获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥工业大学;上海氢器时代科技有限公司申请的专利一种多孔基底增强阴离子交换膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119529349B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411703765.1，技术领域涉及：C08J5/22；该发明授权一种多孔基底增强阴离子交换膜及其制备方法与应用是由魏海兵;左云飞;吴亮;李严;陈雨浩;闫震江;李晨宇;丁运生设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多孔基底增强阴离子交换膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种多孔基底增强阴离子交换膜及其制备方法与应用，涉及阴离子交换膜技术领域，一种多孔基底增强阴离子交换膜由聚亚芳基亚烷基型阳离子聚合物溶液与C1‑C10的醇类溶剂混合均匀后，涂覆在多孔基底两侧，脱除溶剂后得到。本发明不需要对多孔基底进行预处理，即可实现阳离子聚合物溶液对于多孔基底的良好浸润，进而获得类三明治结构的多孔基底增强阴离子交换膜。该薄膜具有突出的抗溶胀性和优异的机械性能，兼具良好的电化学性能，在碱性膜能量转化装置中具有良好的应用前景。
本发明授权一种多孔基底增强阴离子交换膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种多孔基底增强阴离子交换膜，其特征在于，阴离子交换膜具有类三明治型结构，其包括设置在中部的多孔基底以及设置在顶部与底部的阳离子聚合物，多孔基底的内部空隙内填充阳离子聚合物； 所述的阳离子聚合物的分子结构如下所示： 其中，n代表聚合度，n为介于10‑1,000,000之间的整数； Ar片段独立地选自双取代片段Ar1和多取代片段Ar2，且Ar2片段和Ar1片段的物质的量之比为r，且0≤r≤1.0； Ar1独立地选自以下结构中的一种或多种： Ar2独立地选自以下结构中的一种或多种： R1独立地选择氢原子、含碳原子数为1‑20之间的烃基或一种完全或部分氟化的碳原子数为1‑6的烷基； k＝0或1；x＝0‑12； Z独立地选自H原子、季铵阳离子和含氮杂环的阳离子中的一种或多种。
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