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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利压力传感器、压力传感阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119533723B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411724090.9，技术领域涉及：G01L1/22；该发明授权压力传感器、压力传感阵列及其制备方法是由陈苏杰;郭小军;李思莹设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本压力传感器、压力传感阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种压力传感器、压力传感阵列及其制备方法。所述压力传感器包括：第一衬底；第一传感电极，位于第一衬底的上表面上；第一绝缘层，位于第一传感电极的表面上包括呈阵列排布的多个第一微球或者为第一镂空膜层；第一压敏层，位于第一绝缘层的表面上并填充于第一绝缘层中的第一空隙内；第二衬底，位于第一衬底上方；第二传感电极，位于第二衬底的下表面上；第二绝缘层，位于第二传感电极的表面上，第二绝缘层包括呈阵列排布的多个第二微球或者为第二镂空膜层；第二压敏层，位于第二绝缘层的表面上，第二压敏层并填充于第二绝缘层中的第二空隙内。本发明提供的压力传感器在高压和薄厚度下具有更高的灵敏度。

本发明授权压力传感器、压力传感阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种压力传感器，其特征在于，包括： 第一衬底，包括相对分布的上表面和下表面； 第一传感电极，位于所述第一衬底的上表面上； 第一绝缘层，位于所述第一传感电极背离所述第一衬底的表面上，所述第一绝缘层包括呈阵列排布的多个第一微球或者所述第一绝缘层为具有第一镂空结构的第一镂空膜层； 第一压敏层，位于所述第一绝缘层背离所述第一衬底的表面上，所述第一压敏层还填充于所述第一绝缘层中的第一空隙内并与所述第一传感电极接触连接，所述第一空隙位于相邻所述第一微球之间或者所述第一空隙为所述第一镂空结构，所述第一压敏层为背离所述第一衬底的表面具有第一微结构的第一压阻膜层； 第二衬底，位于所述第一衬底上方，所述第二衬底包括相对分布的上表面和下表面，所述第二衬底的下表面朝向所述第一衬底的上表面设置； 第二传感电极，位于所述第二衬底的下表面上； 第二绝缘层，位于所述第二传感电极背离所述第二衬底的表面上，所述第二绝缘层包括呈阵列排布的多个第二微球或者所述第二绝缘层为具有第二镂空结构的第二镂空膜层； 第二压敏层，位于所述第二绝缘层背离所述第二衬底的表面上，所述第二压敏层还填充于所述第二绝缘层中的第二空隙内并与所述第二传感电极接触连接，所述第二空隙位于相邻第二微球之间或者所述第二空隙为所述第二镂空结构，所述第二压敏层为背离所述第二衬底的表面具有第二微结构的第二压阻膜层，所述第一压敏层表面的第一微结构与所述第二压敏层表面的第二微结构相对设置且所述第一压敏层与所述第二压敏层直接接触，当所述压力传感器受到外界压力时，所述第一压敏层与所述第二压敏层之间的接触面积会发生改变。

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