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龙图腾网获悉长电微电子(江阴)有限公司申请的专利封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601533B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411600518.9，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权封装结构及其形成方法是由周青云;陈海杰;张嘉驿;刘彬洁设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种封装结构及其形成方法，在该形成方法中，先形成桥接芯片组件，其中，通过先沉积保护层再减薄硅通孔的方式使桥接芯片的硅通孔露出，则在减薄过程中保护层能够保护基体，可避免减薄硅通孔所产生的金属离子迁移扩散至基体中，进而避免封装结构因金属离子的迁移扩散而产生的可靠性失效问题；同时，在塑封桥接芯片组件时，桥接芯片组件底面具有粘附层，在塑封后去除粘附层，使桥接芯片组件的底面高于第一塑封层底面，则在第一塑封层底面以及桥接芯片组件底面形成底部重布线层后，位于桥接芯片组件底面的底部重布线层的厚度大于位于第一塑封层底面的底部重布线层的厚度，即桥接芯片组件底部具有更厚的介质层，使得桥接芯片组件各个连接点连接强度得到保证，且为桥接芯片提供更高的应力缓冲，提高了封装结构的可靠性。

本发明授权封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括： 形成桥接芯片组件，所述桥接芯片组件包括：桥接芯片、保护层及粘附层，所述桥接芯片包括基体及贯穿所述基体的硅通孔，所述保护层设置在所述基体底面，且暴露出所述硅通孔底面，其中，通过先沉积保护层再减薄所述硅通孔的方式使所述硅通孔底面与所述保护层底面平齐，所述粘附层覆盖所述保护层底面以及所述硅通孔底面；形成桥接芯片组件的步骤包括：提供所述桥接芯片，所述桥接芯片包括初始基体、自所述初始基体顶面向所述初始基体内部延伸的初始硅通孔，所述初始硅通孔的侧面及底面覆盖有钝化层；自所述初始基体底面去除部分所述初始基体，以形成所述基体，所述初始硅通孔突出于所述基体底面；于所述基体底面形成保护层；自所述初始硅通孔底面减薄所述钝化层及所述初始硅通孔，以形成所述硅通孔，进而使所述硅通孔底面与所述保护层底面平齐，所述硅通孔的侧面覆盖有所述钝化层；形成所述粘附层； 将所述桥接芯片组件设置在一载板顶面，所述粘附层与所述载板顶面接触； 塑封，形成第一塑封层，所述第一塑封层覆盖所述桥接芯片组件侧面以及所述载板顶面； 在所述第一塑封层顶面以及所述桥接芯片组件顶面形成芯片封装组件，所述桥接芯片组件与所述芯片封装组件电连接； 去除所述载板以及所述桥接芯片组件的所述粘附层，其中，所述桥接芯片组件的底面高于所述第一塑封层底面； 在所述第一塑封层底面以及所述桥接芯片组件底面形成底部重布线层，其中，位于所述桥接芯片组件底面的所述底部重布线层的厚度大于位于所述第一塑封层底面的所述底部重布线层的厚度，所述桥接芯片组件与所述底部重布线层电连接。

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