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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种反向包覆BaCe1-xGdxO3-δ@Ce1-xGdxO2-δ核壳结构复相陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119661223B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510030035.8，技术领域涉及：C04B35/50；该发明授权一种反向包覆BaCe1-xGdxO3-δ@Ce1-xGdxO2-δ核壳结构复相陶瓷及其制备方法是由孟彬;王昊;柴自燃;张文龙;平鑫宇;曾维新;王振腾;潘荣诚;陈文慧;王贝儿;邵丫轩;覃梦霞设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种反向包覆BaCe1-xGdxO3-δ@Ce1-xGdxO2-δ核壳结构复相陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种反向包覆BaCe1‑1‑xxGdxxO3‑δ3‑δ@Ce1‑x1‑xGdxxO2‑δ2‑δ核壳结构复相陶瓷及其制备方法，属于固态电解质材料领域。本发明以CH33COO22Ba、CeNO3333·6H22O、GdNO3333·6H22O为原料，滴加沉淀剂和表面活性剂，将获得的溶液与CeNO3333·6H22O、GdNO3333·6H22O前驱体溶液混合，加入沉淀剂和分散剂、预煅烧得到核壳粉体，加入粘结剂烧结得到BaCe1‑x1‑xGdxxO3‑δ3‑δ@Ce1‑1‑xxGdxxO2‑δ2‑δ核壳结构复相陶瓷。本发明通过构建核壳结构，以BCG作为内核、GDC作为外壳，提高BCGDGC两相界面比例和两相的连续性，构建了离子传输的高速通道提升了离子电导率；本发明使用NH4422CO33作为新型沉淀剂，获得更加细小的核壳结构复相陶瓷粉末，促进了核壳结构陶瓷块体的烧结致密化，制备得到的BCG@GDC核壳结构复相陶瓷具有较高的离子电导率，在600℃空气氛下的电导率可达1.07×10‑2‑2Scm。

本发明授权一种反向包覆BaCe1-xGdxO3-δ@Ce1-xGdxO2-δ核壳结构复相陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种反向包覆BaCe1‑xGdxO3‑δ@Ce1‑xGdxO2‑δ核壳结构复相陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1将CH3COO2Ba、CeNO33·6H2O和GdNO33·6H2O混合后溶于水中，依次加入NH42CO3、CH3CH211C6H4SO3Na后得到溶液A； 2将CeNO33·6H2O和GdNO33·6H2O混合后溶于水中，获得前驱体溶液； 3将前驱体溶液加入到溶液A中，混合均匀后加入NH3·H2O至沉淀完全、超声分散，继续加入聚乙烯吡咯烷酮搅拌，依次进行洗涤、离心、干燥，将获得前驱体粉末烘干后进行预煅烧得到核壳粉体，然后加入聚乙烯醇，压片、烧结获得BaCe1‑xGdxO3‑δ@Ce1‑xGdxO2‑δ核壳结构复相陶瓷，其中x＝0.1～0.2，δ＝0‑0.1。

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