西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司赵乾获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利缺陷检测设备的校准方法、装置、校准设备、产品及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119666870B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411806987.6，技术领域涉及：G01N21/93；该发明授权缺陷检测设备的校准方法、装置、校准设备、产品及介质是由赵乾;吕天爽;苏建生设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本缺陷检测设备的校准方法、装置、校准设备、产品及介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种缺陷检测设备的校准方法、装置、校准设备、产品及介质，属于半导体制造技术领域。包括：基于生产硅片，确定缺陷检测设备的光强度基准值；基于所述光强度基准值和缺陷尺寸不同的至少两个缺陷样片，获得所述缺陷尺寸与光强度之间的第一关系信息，所述缺陷样片为具有缺陷的硅片；基于标准硅片，修正所述第一关系信息，获得目标关系信息；根据所述目标关系信息，校准所述缺陷检测设备的检测标准信息，所述检测标准信息为所述缺陷检测设备进行硅片检测时所依据的信息。本发明的技术方案能够解决现有缺陷检测设备易发生过检或漏检的问题。
本发明授权缺陷检测设备的校准方法、装置、校准设备、产品及介质在权利要求书中公布了：1.一种缺陷检测设备的校准方法，其特征在于，包括： 基于生产硅片，确定缺陷检测设备的光强度基准值，所述生产硅片为实际用于半导体生产的硅片； 基于所述光强度基准值和缺陷尺寸不同的至少两个缺陷样片，获得所述缺陷尺寸与光强度之间的第一关系信息，所述缺陷样片为具有缺陷的硅片； 基于标准硅片，修正所述第一关系信息，获得目标关系信息； 根据所述目标关系信息，校准所述缺陷检测设备的检测标准信息，所述检测标准信息为所述缺陷检测设备进行硅片检测时所依据的信息； 其中，所述基于生产硅片，确定缺陷检测设备的光强度基准值，包括： 获取所述生产硅片对应的第一光强度值，所述第一光强度值为：所述缺陷检测设备的激光照射在所述生产硅片表面后，经所述生产硅片散射出的光的光强度值； 将所述第一光强度值确定为所述缺陷检测设备的光强度基准值。
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